意法半導(dǎo)體(ST)完成NAND閃存產(chǎn)品70nm技術(shù)升級

意法半導(dǎo)體(ST)完成NAND閃存產(chǎn)品70nm技術(shù)升級，新產(chǎn)品開始批量生產(chǎn) 

技術(shù)領(lǐng)先的512-Mbit小頁閃存和1、2、4、 8-Gbit 大頁閃存產(chǎn)品現(xiàn)已上市，
為各種消費(fèi)電子和無線通信產(chǎn)品提供海量存儲解決方案

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM)宣布公司采用70nm 制造工藝的NAND閃存產(chǎn)品全線上市。512-Mbit (小頁)和1/2/4/8-Gbit (大頁)閃存升級到ST的先進(jìn)的70nm制造工藝，使該系列產(chǎn)品進(jìn)入NAND閃存技術(shù)的最先進(jìn)行列，升級后的產(chǎn)品價格低廉，功耗更小。 
高密度的存儲器芯片為各種計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子應(yīng)用產(chǎn)品提供海量數(shù)據(jù)存儲功能，例如，數(shù)碼相機(jī)、PDA、GPS導(dǎo)航系統(tǒng)、閃存卡和U盤、打印機(jī)、機(jī)頂盒（STB）、數(shù)字電視機(jī)、汽車多媒體系統(tǒng)和多媒體手機(jī)。
該系列全部產(chǎn)品都具有速度極快的數(shù)據(jù)傳輸和擦除功能。該系列產(chǎn)品的尋址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出通過一條8位或16位總線傳輸信號，這種多路復(fù)用技術(shù)不僅可以減少封裝引腳的數(shù)量，還允許系統(tǒng)使用一個模塊化的NAND接口，無需改變芯片的占板面積即可使系統(tǒng)自動適應(yīng)高密度或低密度閃存。 
ST還為新的存儲器芯片提供一套軟件工具，幫助用戶快速開發(fā)使用新閃存芯片的應(yīng)用產(chǎn)品，同時還能延長產(chǎn)品的使用壽命。工具包括糾錯代碼(ECC)軟件；識別失敗的擦寫操作并將無效存儲塊上的數(shù)據(jù)復(fù)制到有效區(qū)塊的壞塊管理(BBM)；通過在所有的存儲塊中分配擦寫操作減緩芯片老化的平均讀寫算法；文件系統(tǒng)OS本機(jī)參考軟件；硬件仿真模型。
存儲器由按頁讀寫的存儲塊組成。每個存儲頁都預(yù)留一個備用空間，通常用于糾錯代碼、軟件標(biāo)記或壞塊識別。數(shù)據(jù)復(fù)制程序模式可以把存在某一頁的數(shù)據(jù)直接寫到另一頁中，無需任何額外的緩存空間。新產(chǎn)品還提供一個擦除時間僅2ms的存儲塊擦除指令。每個存儲塊額定擦寫循環(huán)100,000 次，數(shù)據(jù)保存期限10年。
新產(chǎn)品具有“無需介意芯片啟動”（Chip Enable Don’t Care）功能，這個功能可以簡化微控制器的接口設(shè)計(jì)，以及NAND閃存與其它類型存儲器（NOR閃存和xRAM）的整合方法。在代碼和工作內(nèi)存采用速度更快的存儲器，而大容量文件存儲采用成本更加低廉、密度更高的NAND閃存的應(yīng)用中，不同類型的存儲器芯片整合在一個封裝內(nèi)是最常用的解決方案。