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基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及管理方法研究與實(shí)現(xiàn)

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作者:劉源楊 馬建輝 莊汝科 王崗 時(shí)間:2013-09-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  通過為每個(gè)數(shù)據(jù)建立狀態(tài)字來表示是否已經(jīng)在當(dāng)前分區(qū)上進(jìn)行了存儲(chǔ)操作,數(shù)據(jù)1的存儲(chǔ)操作便不會(huì)影響數(shù)據(jù)2的存儲(chǔ),數(shù)據(jù)2仍然能夠在當(dāng)前分區(qū)上進(jìn)行存儲(chǔ),而不會(huì)每次只要有數(shù)據(jù)的寫操作都會(huì)造成所有的數(shù)據(jù)在分區(qū)之間的搬移,這樣不僅提高了寫操作的效率,而且會(huì)進(jìn)一步提高的使用壽命[7]。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/170167.htm

  分區(qū)拷貝操作

  在進(jìn)行數(shù)據(jù)在分區(qū)間的拷貝操作時(shí),首先備份當(dāng)前最新分區(qū)狀態(tài)字和最新數(shù)據(jù)分區(qū)編號(hào),然后更新最新數(shù)據(jù)分區(qū)編號(hào),查看最新數(shù)據(jù)分區(qū)首地址是否是扇區(qū)首地址,如果是,執(zhí)行扇區(qū)擦除操作[8],然后按照的寫操作命令序列在當(dāng)前最新數(shù)據(jù)分區(qū)的data id地址處寫入data id,在data地址處寫入data,然后將備份數(shù)據(jù)分區(qū)內(nèi)的其他數(shù)據(jù)復(fù)制到當(dāng)前最新數(shù)據(jù)分區(qū)中。

  最新數(shù)據(jù)分區(qū)及狀態(tài)字更新

  最新數(shù)據(jù)分區(qū)編號(hào)的更新算法為:將最新數(shù)據(jù)分區(qū)編號(hào)加一,判斷其結(jié)果,如果最新數(shù)據(jù)分區(qū)編號(hào)等于分區(qū)個(gè)數(shù),設(shè)置最新數(shù)據(jù)分區(qū)編號(hào)為0。狀態(tài)字更新算法為:判斷所備份最新數(shù)據(jù)分區(qū)狀態(tài)字是否等于0xfe,如果等于0xfe,設(shè)置最新分區(qū)狀態(tài)字為0,否則最新分區(qū)狀態(tài)字加一,然后將最新分區(qū)狀態(tài)字寫入當(dāng)前最新數(shù)據(jù)分區(qū)狀態(tài)字地址,即數(shù)據(jù)分區(qū)首地址位置。

  掉電存儲(chǔ)

  如果系統(tǒng)在寫操作期間掉電,由于在發(fā)生掉電時(shí)最新數(shù)據(jù)分區(qū)狀態(tài)字還沒有更新,再次上電時(shí)查找到的最新數(shù)據(jù)分區(qū)仍然是寫操作進(jìn)行前的那個(gè)數(shù)據(jù)分區(qū),通過在寫入操作完成后更新狀態(tài)字的方式保證了即使發(fā)生了掉電,重新上電后數(shù)據(jù)仍能恢復(fù)為原來的數(shù)據(jù)分區(qū)中的數(shù)據(jù)。上電時(shí)通過分區(qū)狀態(tài)字查找最新數(shù)據(jù)分區(qū)的算法如下:

  (1)當(dāng)存在取值為0的分區(qū)狀態(tài)字時(shí),小于分區(qū)數(shù)的最大狀態(tài)字代表的分區(qū)為最新數(shù)據(jù)分區(qū);
  (2)當(dāng)不存在取值為0的分區(qū)狀態(tài)字時(shí),最大狀態(tài)字代表的分區(qū)為最新數(shù)據(jù)分區(qū);該算法實(shí)現(xiàn)流程如附圖3所示,上電后經(jīng)過該算法處理后,可以得到最新數(shù)據(jù)分區(qū)編號(hào)和最新數(shù)據(jù)分區(qū)狀態(tài)字,其軟件代碼如下所示:

  static void FindNewestBankByStatusWord(void)
  {
  Bool roll_over;
  uint8_t bank;
  uint16_t bank_status;
  uint16_t largest_status = 0;
  Bool erased = TRUE;
  roll_over = StatusWordIsRollover();
  for(bank = 0;bank < _BANKS;bank++){
  bank_status = READFLASH16(_START + (bank * _SIZE_BYTES));
  if(FLASH_ERASED_WORD != bank_status){
  erased = FALSE;
  if(TRUE == roll_over){
  if((bank_status < EEPROM_BANKS) && (bank_status >= largest_status)){
  Active_bank = bank;
  largest_status = bank_status;
  }
  }else{
  if(bank_status > largest_status){ Active_bank = bank;
  largest_status = bank_status;
  }
  }
  if(TRUE == erased){ Active_bank = 0;
  (void)EraseEepromBank(EEPROM_START);
  }
  }

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