Spansion推出全球首款每單元四比特閃存
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Spansion™ MirrorBit Quad 技術(shù)將與來自媒體存儲(chǔ)事業(yè)部的解決方案共同
為電子設(shè)備拓展創(chuàng)新的閃存產(chǎn)品
Spansion (Nasdaq: SPSN)演示了業(yè)界首款每單元四比特閃存技術(shù)的工作芯片。該芯片由其位于得克薩斯州奧斯汀的Fab 25制造。Spansion™ MirrorBit® Quad 技術(shù)的設(shè)計(jì)用以拓展創(chuàng)新的閃存,并降低電子設(shè)備內(nèi)海量數(shù)字內(nèi)容存儲(chǔ)的成本。
Spansion最新成立的媒體存儲(chǔ)事業(yè)部將以此項(xiàng)技術(shù)為基礎(chǔ),為集成化閃存市場開發(fā)一系列差異化的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。Spansion還計(jì)劃與領(lǐng)先公司合作,將數(shù)字媒體解決方案推向可移除市場中的細(xì)分市場。以90nm制程制造的512Mb、1Gb和2Gb MirrorBit Quad產(chǎn)品計(jì)劃將于年底量產(chǎn),以65nm制程制造的1Gb、2Gb、4Gb、8Gb和16Gb產(chǎn)品計(jì)劃于2007年量產(chǎn)。
Spansion總裁兼首席執(zhí)行官Bertrand Cambou表示:“無論對Spansion還是對整個(gè)閃存行業(yè),這都是一個(gè)非常重要的里程碑。MirrorBit Quad解決方案所具有的大存儲(chǔ)量、小尺寸及更具競爭力的成本結(jié)構(gòu)將改變消費(fèi)者存儲(chǔ)內(nèi)容并與之交互的方式——無論內(nèi)容是存儲(chǔ)在手機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)、機(jī)頂盒或是可移除式應(yīng)用中,都能夠方便地進(jìn)行訪問?!?
在北京舉行的新聞發(fā)布會(huì)上,Spansion向外界演示了其MirrorBit® Quad 技術(shù)的工作芯片。包括將基于該技術(shù)的Spansion™閃存應(yīng)用于MP3中,以及用一臺(tái)同樣使用了該產(chǎn)品的照相機(jī)拍攝了一張即時(shí)場景的具有5百萬像素的照片。 這些演示是MirrorBit Quad技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的一些范例,包括可移除市場上的某些數(shù)字媒體應(yīng)用,以及集成化電子市場中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)?;贛irrorBit Quad技術(shù)的第一批產(chǎn)品可望于今年晚些時(shí)候推出。
MirrorBit技術(shù)——用于代碼、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和海量存儲(chǔ)解決方案
Spansion的MirrorBit技術(shù)可為集成化電子市場中的不同客戶提供增值的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。Spansion相信MirrorBit Quad技術(shù)是集成化電子市場中海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)發(fā)展的未來。并且,Spansion計(jì)劃開發(fā)各種接口和功能,以擴(kuò)展使用集成閃存的電子設(shè)備的存儲(chǔ)能力。
Semico Research公司的分析師Jim Handy表示:“每單元四比特技術(shù)的推出將開創(chuàng)更多新的應(yīng)用。Spansion將已獲證明的基于氮化物的MirrorBit技術(shù)與其已經(jīng)行業(yè)測試的、能夠大大提高閃存容量的MLC方法相結(jié)合,能將閃存產(chǎn)品的成本降低至一個(gè)新的水平。”
MirrorBit Quad技術(shù)的工作原理
與Spansion每單元兩比特的MirrorBit技術(shù)相似,MirrorBit Quad技術(shù)將電荷存儲(chǔ)在一個(gè)不導(dǎo)電氮化物存儲(chǔ)介質(zhì)的兩個(gè)不同位置上,以提供優(yōu)于浮動(dòng)門技術(shù)的基本的成本、質(zhì)量和制造優(yōu)勢。與每個(gè)存儲(chǔ)位置只存儲(chǔ)一個(gè)比特的每單元兩比特 MirrorBit 技術(shù)不同,MirrorBit Quad在每個(gè)存儲(chǔ)位置存儲(chǔ)兩個(gè)比特。另外,MirrorBit Quad還為未來支持每單元存儲(chǔ)更多比特作了準(zhǔn)備。由于提高了每單元存儲(chǔ)量,在采用相同制程技術(shù)的前提下,MirrorBit Quad技術(shù)所提供的每比特有效單元尺寸最多要比浮動(dòng)門MLC NAND閃存小30%。
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