雙面接觸式電容壓力傳感器原理介紹

　　要得到好的鍵合效果，在進行晶體鍵合前，要對3塊晶片的表面進行處理，特別是晶體B,要用機械拋光的方法進行，否則由于重摻雜硼的晶體表面粗糙度太高，鍵合時會由于晶體表面的內(nèi)應力使晶體彎曲，表面不平，常有空氣泡被封在里面，這使鍵合的效果不好，要得到好的鍵合效果就要使表面盡量光滑而且盡量平坦。在鍵合時，首先在晶體的邊緣進行鍵合，如果在空氣中鍵合，晶體的中間會有殘留的空氣，這些殘留的空氣泡在高溫下會膨脹，有可能把兩片晶體分開。為解決這個問題可在真空中鍵合;另一個辦法是同時在另一面也進行硼擴散來減少它的彎曲，因為兩面硼擴散的厚度如果一樣的話，晶體的變形會最小。

　　對于電容壓力傳感器，硅梁的擴散厚度需要精確控制，P+重摻雜自停止腐蝕法及PN結(jié)自停止腐蝕來控制擴散精度。P+重摻雜自停止腐蝕主要是利用當硼在硅中的濃度超過1019時，硅的腐蝕速率將大大減小，這是各向異性腐蝕的一個特性。各向異性腐蝕與晶體的晶向和摻雜濃度有關(guān)。腐蝕速率大部分取決于晶體的晶向，這個特性在腐蝕100>晶向的晶體時會得到V形槽，110>晶體得到U形槽。晶體的腐蝕速率取決于3個因素：晶體的類型、溶液的濃度及溫100>和111>的腐蝕速率比值為50∶30∶1,在室溫下比值為160∶100∶1。腐蝕速率對溫度非常敏感，要注意控制腐蝕液的溫度。溶液的濃度也會影響腐蝕速率，但不是線性的。在10℃左右，腐蝕速率最大，而且當溶液的濃度逐漸增加時，腐蝕速率會慢慢降下來。

　　查閱資料，當溶液的濃度在10%～15%時，晶體的腐蝕速率最大。溶液的濃度很低時，晶體表面會產(chǎn)生一系列小洞。

　　4　結(jié)論

　　制造的成本與單面相當。具有單面接觸式電容壓力傳感器所具有的優(yōu)點：低溫漂，高靈敏度，受環(huán)境影響小，對分布電容不敏感。對于同樣大小的器件，雙面接觸式電容壓力傳感器的電容量和靈敏度高出單面1倍。