一種帶隙基準電壓源的設(shè)計與仿真
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2 帶隙基準電壓源電路設(shè)計
2．1 帶隙基準核心電路
帶隙基準核心電路采用一階補償技術(shù)，溫度系數(shù)一般能達到(10～20)×10-6℃。如圖2所示，為本設(shè)計的帶隙基準電壓源的核心電路，圖中用PMOS電流源作為偏置電流，由于MOS管的溝道長度調(diào)制效應會導致顯著的電源電壓依賴性。為解決這一問題，可利用共源共柵結(jié)構(gòu)良好的屏蔽特性，電路中的電流源采用共源共柵結(jié)構(gòu)。同時為減小運放失調(diào)電壓的影響，可采用兩個三極管級聯(lián)的結(jié)構(gòu)。運算放大器用來保證N1和N2兩點的電位相等。根據(jù)理論分析可知，適當調(diào)整晶體管Q1～Q5的發(fā)射極面積和電阻R1～R5的電阻值，可產(chǎn)生與溫度無關(guān)的基準電壓VREF。本文引用地址：http://2s4d.com/article/155888.htm
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