飛思卡爾應(yīng)用的射頻功率性能新標(biāo)準(zhǔn)
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50V VHV6 RF LDMOS技術(shù)(第6代高電壓射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)的開發(fā)促成了飛思卡爾的此次擴(kuò)展。該技術(shù)在飛思卡爾廣為接受的28V LDMOS技術(shù)基礎(chǔ)上將工作電壓提高到50V,讓設(shè)計(jì)者能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率,超過當(dāng)前ISM市場(chǎng)上的產(chǎn)品的性能水平。此外,該設(shè)備還采用了超模壓塑料封裝,從而提供了最經(jīng)濟(jì)高效的ISM解決方案。
飛思卡爾副總裁兼射頻部門總經(jīng)理Gavin P. Woods表示:“飛思卡爾在蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施射頻功率方面處于市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位,同時(shí)還開發(fā)出50V LDMOS技術(shù),這就使我們具備了得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì),能夠憑借真正的創(chuàng)新產(chǎn)品,將領(lǐng)導(dǎo)地位擴(kuò)展到ISM市場(chǎng)。此外,我們還在超模壓塑料封裝技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)導(dǎo)地位,這使我們的客戶能夠開發(fā)最經(jīng)濟(jì)高效的ISM應(yīng)用解決方案,比如等離子發(fā)生器和磁共振成像(MRI)系統(tǒng)?!?
提高性能
飛思卡爾提供的ISM旗艦產(chǎn)品為MRF6V2300NB,它是功率為300W的50V LDMOS晶體管,其工作頻率為450 MHz,采用TO-272-WB-4超模壓塑料封裝制造。該設(shè)備能夠產(chǎn)生27dB的可觀增益,效率高達(dá)68%。憑借該產(chǎn)品的這種出色性能,ISM系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者可以消除增益級(jí)(gain stages),從而降低總系統(tǒng)成本,減少占用板卡面積。除了出類拔萃的性能以外,該設(shè)備還具有極高的穩(wěn)定性,其耐用容錯(cuò)性能達(dá)到10:1 VSWR。
六款針對(duì)ISM的創(chuàng)新產(chǎn)品
飛思卡爾正在擴(kuò)展其產(chǎn)品到兩個(gè)不同的ISM頻率市場(chǎng):HF/VHF市場(chǎng)和2.45 GHz的ISM頻帶市場(chǎng)。為了達(dá)到10-450 MHz的HF/VHF頻率間隔要求,飛思卡爾提供了三種采用VHV6 50V LDMOS技術(shù)的晶體管。這些晶體管包括旗艦產(chǎn)品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB(功率150W,效率69%, 增益25dB)及MRF6V2010NB(功率10W,效率68%,增益25dB)。對(duì)于2.45 GHz的ISM頻帶,飛思卡爾提供三種使用28V LDMOS技術(shù)的設(shè)備:MRF6P24190H(功率190W,效率46%,增益13dB)、MRF6S24190H(功率140W,效率46%,增益13dB)和MW6IC2420NB(二級(jí)20W,效率21%,增益21dB)。
產(chǎn)品供貨信息
上述所有六種ISM設(shè)備現(xiàn)在已經(jīng)提供樣品。另外,所有三種2.45 GHz的設(shè)備已經(jīng)投產(chǎn)。MRF6V2150NB計(jì)劃于2006年8月完全投產(chǎn),而MRF6V2300NB和MRF6V2010NB則計(jì)劃于2006年第四季度完全投產(chǎn)。
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關(guān)于飛思卡爾半導(dǎo)體
飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE: FSL,F(xiàn)SL.B)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,為汽車、消費(fèi)、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)和無線市場(chǎng)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)嵌入式半導(dǎo)體產(chǎn)品,并于2004年7月公開上市。公司總部位于德州奧斯汀,在全球30多個(gè)國家和地區(qū)擁有設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售機(jī)構(gòu)。飛思卡爾半導(dǎo)體是S&P 500â成員之一,也是全球最大的半導(dǎo)體公司之一,2005年的總銷售額達(dá)到58億美元。www.freescale.com
評(píng)論