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Vishay推出的新款航天級平面變壓器具有更低成本、更小尺寸和更高密度
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列用于電力轉(zhuǎn)換的新型低廓形、航天級平面變壓器---SGTPL-2516系列。與傳統(tǒng)的平面變壓器相比,可定制的Vishay Custom Magnetics SGTPL-2516系列變壓器成本更低、體積更小、功率密度更高,具有明顯優(yōu)勢,并符合MIL-STD-981 S級要求。該變壓器具有通孔端子和多種封裝尺寸,廣泛應(yīng)用于開關(guān)模式電源以及DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器。這些變壓器專為惡劣環(huán)境而設(shè)計,采用具有模制繞組的堅固封裝設(shè)計
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Vishay推出旋鈕電位器,簡化工業(yè)和音頻應(yīng)用設(shè)計并優(yōu)化成本
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款內(nèi)置旋鈕開關(guān)---P16F和PA16F,IP67密封的新型面板電位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F電位器介電強度高達5000 VAC,+40 °C下額定功率為1 W,可用來簡化工業(yè)和音頻應(yīng)用設(shè)計并優(yōu)化成本。日前發(fā)布的器件在一個組件中集成了旋鈕和面板電位器,無需采購組裝單獨的旋鈕。此外,只有安裝硬件和端子位于面板背面,微型電位器面板背面所需間隙小于15 mm。PA16F采用導(dǎo)電塑料電阻芯,適用于音頻應(yīng)
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Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平,可顯著提高功率密度、能效和熱性能
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換,在提高功率密度和能效的同時,增強熱性能,減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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Vishay推出升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊,延長鏈路距離,提高抗ESD可靠性
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出適于IrDA?應(yīng)用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外(IR)收發(fā)器模塊,鏈路距離延長20 %,抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2?kbit/s 數(shù)據(jù)速率(SIR),鏈路距離為1米,適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動化控制、手機和醫(yī)療設(shè)備無線通信和數(shù)據(jù)傳輸。為提高便攜式設(shè)備電池使用壽命,模塊降低了功耗,閑置供電電流 < 70 μA,關(guān)斷模式 < 1 μA。Vishay Semicondu
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Vishay推出的新款浪涌限流PTC熱敏電阻可提高有源充放電電路性能
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列浪涌限流正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C(R25)條件下阻值范圍寬,具有高電壓處理和高能量吸收能力,可提高汽車和工業(yè)應(yīng)用有源充放電電路的性能。日前發(fā)布的器件R25阻值為60 W至1 kW,500 W 最大額定直流電壓高達1000 VDC,1 kW 達1200 VDC,最大能量吸收能力達240 J,比競品器件高四倍。多個熱敏電阻并聯(lián),能量吸收
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Vishay推出采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造,為設(shè)計人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級導(dǎo)通或開關(guān)損耗。日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)
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Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度,增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝,10V柵極電壓條件下導(dǎo)
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Vishay推出超小型高集成度的可見光敏感度增強型高速PIN光電二極管
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月1日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款全新可見光敏感度增強型高速硅PIN光電二極管--- VEMD2704,擴充光電二極管產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm頂視表面貼裝封裝,透明環(huán)氧樹脂感光度達業(yè)內(nèi)先進水平,快速開關(guān)時間為70 ns,容值低至17.6 pF,適于可穿戴
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Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦,有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V,采用集電極開路輸出,適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統(tǒng)。日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門結(jié)合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
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Vishay推出的新款10MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦,有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V,采用集電極開路輸出,適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統(tǒng)。日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門結(jié)合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
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Vishay IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執(zhí)行器榮獲AspenCore全球電子成就獎
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其經(jīng)過AEC-Q200認證的IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執(zhí)行器獲得2023年度AspenCore全球電子成就獎(World Electronics Achievement Award)“年度高性能被動電子/分立器件獎”。該器件適用于LCD顯示屏、觸摸屏和觸摸開關(guān)面板等各種12 V車載應(yīng)用。器件采用小型兩件式結(jié)構(gòu),帶安裝孔,便于安裝和直接操作,具有高沖擊脈沖和振動傳遞能力,可在嘈雜的環(huán)境下提供清晰的觸覺反饋。由電子技術(shù)領(lǐng)域
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vishay介紹
威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家,其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]
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