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Diodes負(fù)載開關(guān)提升HDMI端口保護(hù)功能

  • Diodes公司推出AP2331單信道限流負(fù)載開關(guān)。該產(chǎn)品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標(biāo)準(zhǔn)及其它監(jiān)視器接口的保護(hù)功能而優(yōu)化設(shè)計，適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負(fù)載和可能受短路影響的應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  負(fù)載開關(guān)  AP2331  

Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機(jī)及平板計算機(jī)等。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  DMP1245UFCL  

Diodes超薄型整流器簡化太陽能電池板設(shè)計

  • Diodes推出SBR12U45LH超級勢壘整流器 (SBR) ，額定電流為12A，以超薄型PowerDI-5SP封裝，為生產(chǎn)新一代太陽能光電模塊 (PV module) 的太陽能電池板制造商，解除設(shè)計和生產(chǎn)方面的主要顧慮 。
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Diodes偏壓控制及電源管理IC為LNB設(shè)計節(jié)省成本

  • Diodes公司針對單波段衛(wèi)星低噪聲模塊 (LNB) 推出一款高集成偏壓、控制及電源管理ICZXNB4204。該器件可減少 ...
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DIODES在成都高新區(qū)設(shè)立封裝測試生產(chǎn)基地

  • 　　達(dá)爾科技(DIODES)7月19日在成都高新綜合保稅區(qū)的生產(chǎn)基地奠基。達(dá)邇科技(成都)有限公司，是由美商達(dá)爾科技股份有限公司和成都亞光電子股份有限公司共同出資組建。 　　
  • 關(guān)鍵字： DIODES  封裝  

Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗

  • 　　Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  IGBT  

Diodes推出40V 閘極驅(qū)動器減少IGBT 開關(guān)損耗

  • Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  閘極驅(qū)動器  ZXGD3006E6  

Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗

  • 　　Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。 　　當(dāng)輸入電流為 1mA 時，該閘極驅(qū)動器通?？商峁?4A 的驅(qū)動電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發(fā)射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應(yīng)(latch-up)及貫通問題(shoot-through)，實現(xiàn)少于 10ns 的傳輸延遲時間。 　
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

  • Diodes 公司推出一對互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  DMC4040SSD  

Diodes 推出超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性

  • Diodes 公司推出首款針對汽車應(yīng)用的超勢壘整流器（Super Barrier Rectifier，簡稱SBR）系列。與同類肖特基或超快二極管相比，該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運(yùn)行區(qū)（SOA）。這些堅固耐用的整流器讓汽車設(shè)計師可提升電機(jī)控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  整流器  

Diodes 超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性

  • ????????Diodes 公司推出首款針對汽車應(yīng)用的超勢壘整流器(Super Barrier Rectifier，簡稱SBR)系列。與同類肖特基或超快二極管相比，該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運(yùn)行區(qū)(SOA)。這些堅固耐用的整流器讓汽車設(shè)計師可提升電機(jī)控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。 　　獲 AECQ101 認(rèn)證的 SBR20A60CTBQ、SBR30A45CTBQ
  • 關(guān)鍵字： Diodes  整流器  SBR  

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗

  • 　　Diodes 公司推出一對互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。　　
  • 關(guān)鍵字： Diodes  DMC4040SSD  MOSFET   

Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

  • 　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。 　　
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  

Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

  • 　　Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間。　
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Diodes高速CMOS邏輯系列提供完善性能升級

  • 　　Diodes公司推出完整的先進(jìn)高速CMOS邏輯器件系列，實現(xiàn)比現(xiàn)有同類高速CMOS邏輯器件更優(yōu)越的功耗和開關(guān)速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費電子產(chǎn)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件。 　　
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