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美光：3D TLC最快今年底實現(xiàn)

  • 　　對于消費(fèi)市場來說，成本永遠(yuǎn)都是令購買者最在意的一件事。日漸普及的SSD，當(dāng)然也必須面對這樣的市場聲浪。TCL NAND目前已經(jīng)是SSD降低成本的重要關(guān)鍵，當(dāng)然，如何能讓TLC架構(gòu)在維持低成本的同時，還能兼具效能與穩(wěn)定性，也成為了相關(guān)廠商正積極競逐的目標(biāo)。 　　美光科技(Micron)儲存事業(yè)部行銷總監(jiān)Kevin Kilbuck指出，因應(yīng)消費(fèi)市場的需求，美光也針對高性能、高可靠性，且極注重成本的消費(fèi)性應(yīng)用，提供了量身訂制的解決方案。全新的快閃記憶體產(chǎn)品，是采用16nm制程技術(shù)的TLC NAND，能讓U
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Marvell：控制器三大優(yōu)勢 讓TLC架構(gòu)逼近MLC效能

  • 　　傳統(tǒng)的HDD機(jī)械式硬碟，由于機(jī)械式結(jié)構(gòu)的復(fù)雜結(jié)構(gòu)造成整體的不穩(wěn)定性，加上讀寫速度始終存在著瓶頸，這些原因使得SSD逐漸有機(jī)會加速淘汰傳統(tǒng)HDD硬碟，在更多領(lǐng)域發(fā)揮快速讀寫、穩(wěn)定存取的優(yōu)勢。 　　   　　Marvell的DRAMless架構(gòu)，讓SSD可以達(dá)到更小巧的體積。圖中正是128GB的SSD。 　　Marvell SSD事業(yè)群副總裁David Chen指出，比起SSD，傳統(tǒng)硬碟唯一的優(yōu)勢，只在于容量。然而一旦針對穩(wěn)定性與速度的話，傳統(tǒng)硬碟一點(diǎn)勝算都沒有。而目前隨著新一代的T
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SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲芯片大揭秘

  • 　　現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop，Intel的技術(shù)人員在會議上具體揭示了Intel 3D NAND的計劃以及一些技術(shù)上的細(xì)節(jié)。 　　   　　這場會議在深圳JW萬豪酒店舉行，參與會議的有相當(dāng)多的業(yè)內(nèi)朋友。來自Intel美國的產(chǎn)品工程經(jīng)理Todd Myers，NAND產(chǎn)品交易開發(fā)工程師Tod
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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性價比優(yōu)勢更明顯　TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張

  • 　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。 　　三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。 　　在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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TLC存儲器取得儲存市場成長動能

  • 　　三級單元(triple-level cell;TLC)快閃記憶體在進(jìn)入客戶端市場兩年后，預(yù)計將進(jìn)一步在資料中心獲得動能。但長期來看，由于 3D NAND 逐漸取代，傳統(tǒng)的 NAND 記憶體成長開始趨緩。 　　截至目前為止，TLC主要用于 USB 驅(qū)動器、快閃記憶卡、低成本智慧型手機(jī)與客戶端固態(tài)固碟(SSD);不過，市調(diào)公司Forward Insights首席分析師Gregory Wong指出，市場上目前已經(jīng)看到 iPhone 6 開始采用了，預(yù)計它將在2015-2016年進(jìn)一步滲透到高階智慧型手機(jī)與
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放

  • 　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構(gòu)，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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SSD價格快速下滑　普及化只剩時間問題

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)價格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散，帶動儲存容量擴(kuò)大，并加速SSD大眾化時代的來臨。 　　據(jù)ET News報導(dǎo)，SSD將形成半導(dǎo)體新市場，價格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價格在2014年第3季時為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。 　　南韓業(yè)界認(rèn)為，目前價格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價格將降低至50美元以下。 　　南韓Woor
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蘋果停用TLC閃存 回應(yīng)iPhone 6宕機(jī)

  • 　　11月9日，隨著關(guān)于iPhone6+功能缺陷的爭論高漲，蘋果已決定停止使用TLC NAND閃存技術(shù)。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士11月6日透露，蘋果已經(jīng)決定停用TLC NAND閃存技術(shù)。蘋果認(rèn)為，困擾64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷緣于TLC NAND閃存控制芯片中的一個問題。這種控制芯片據(jù)稱是由SSD制造商Anobit制造的，該公司在2011年被蘋果收購。 　　TLC NAND閃存是固態(tài)NAND快閃存儲器的一種。它的數(shù)據(jù)存儲量是SLC存儲器的三倍，是MLC存儲器的1.5倍。最重要的
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

  • 　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 　　不過還是有個變通方法
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基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1　概述TLC5510是美國TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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具有高阻抗并行接口和內(nèi)部基準(zhǔn)電阻的TLC5510解析方

  • 1 TLC5510簡介TLC5510是美國德州儀器(TI)公司的8位半閃速架構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器，采用CMOS工藝，大大減少比較器數(shù)。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采樣率，可廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、數(shù)字TV、醫(yī)學(xué)圖像、視頻會議以及QAM解調(diào)器等
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英特爾與鎂光開始出樣25nm TLC閃存

  • 　　英特爾今天宣布和鎂光一起發(fā)布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個內(nèi)存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較便宜，有2000-5000次擦寫壽命，非常適合U盤、SD卡和消費(fèi)電子產(chǎn)品。新發(fā)布的芯片擁有8GB容量，芯片面積131平方毫米，比25納米制程MLC還小20%，以下是圖像：
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  25nm  TLC  

帶串行控制的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器TLC1549在8051系統(tǒng)中的

  • TLC1549是美國德州儀器公司生產(chǎn)的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器。它采用CMOS工藝，具有內(nèi)在的采樣和保持，采用差分基準(zhǔn)電壓高阻輸入，抗干擾，可按比例量程校準(zhǔn)轉(zhuǎn)換范圍，總不可調(diào)整誤差達(dá)到±1LSB Max（4.8mV）等特點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 1549  8051  TLC  串行控制    

20位Σ-Δ立體聲ADA電路TLC320AD75C的接口電路設(shè)計

  • 介紹了Σ-Δ型ADC和DAC的特點(diǎn)及構(gòu)成，并詳細(xì)論述了Σ-Δ型立體聲ADA電路TLC320AD75C的模擬與數(shù)字音頻數(shù)據(jù)接口技術(shù)、DAC的串行控制接口技術(shù)及該類器件的使用注意事項。
  • 關(guān)鍵字： ADA  320  75C  TLC    
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