- 傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設備的廣泛要求。 AMIS宣布首個2400dpi CMOS圖像傳感器現已投放市場。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時還可降低掃描儀、支票閱讀機、辦公自動化設備、打印機和其它基于成像的外圍設備在操作時的功耗和噪音。 新的傳感器以AMI&nb
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2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器 消費電子 消費電子
- 緊湊型解決方案支持 DigRF 接口，縮短了產品上市時間 通過擴大其支持Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE) 手機設計的RF產品，飛思卡爾半導體揭開了公司第一款RF CMOS 90 納米收發(fā)器的神秘面紗。新RFX275-30是一個收發(fā)器子系統(tǒng)，具有業(yè)內領先的低發(fā)送和接收電流、高接收器靈敏度，并且結構非常緊湊。通過簡化編程，新
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EDGE RF 尺寸減半 單片機 飛思卡爾 嵌入式系統(tǒng) 子系統(tǒng)
- 本文將對超低功耗電路設計原則進行分析，并就怎樣設計成超低功耗的產品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結 ...
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CMOS TTL 單片機
- 引言
隨著移動通信技術的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現壓控振蕩器(VCO)，是實現RF CMOS集成收發(fā)機的關鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變容二極管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現電路時，會發(fā)現變容二極管的品質因數通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現的器件來代替一般的變容二極管，MOS變容管便應運而生了。
MOS變容管
將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
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CMOS RF專題 電源技術 模擬技術 射頻 振蕩器
- 集成多路模擬開關（以下簡稱多路開關）是自動數據采集、程控增益放大等重要技術領域的常用器件，其實際使用性能的優(yōu)劣對系統(tǒng)的嚴謹和可靠性重要影響。 關于多路開關的應用技術，些文獻上介紹有兩點不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關電路的合理搭配與協調介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關的種類，注意多路開關與相關電路的合理搭配與協調，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開關的性能，甚至彌補某性能指標的欠缺，收到預期的效果。本文從應用
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CMOS 電源技術 放大器 模擬技術 模擬開關
- 手機的發(fā)展要求在以低插入損耗進行多頻帶和多模頻帶切換的同時仍保持優(yōu)良的線性特性，這推動了RF MEMS開關的應用和發(fā)展。隨著新的復雜波形如WiMAX添加到混合信號上，多頻帶的切換問題變得更加突出。目前在全球大規(guī)模興建的3G網絡可提供包括數據和點播視頻在內的多種業(yè)務，網絡的發(fā)展對手機設計師提出了新的挑戰(zhàn)。無線技術的發(fā)展已經使得手機可以使用7種不同的無線標準(頻帶)，包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見表1)。每種標準自身均具有獨特的特性和限制，并因此產生了自
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0609_A MEMS RF RF專題 消費電子 雜志_專題 消費電子
- ADI公司用于WiMAX終端的高集成度RF收發(fā)器推動寬帶無線接入的部署 ——兩款新型直接變頻收發(fā)器提供高集成度和優(yōu)異的RF性能 使低成本WiMAX終端具有擴展的覆蓋范圍和改進的服務質量。 美國模擬器件公司10月10～12日在美國波士頓WiMAX世界峰會上展示了兩款用于全球微波接入互通（WiMAX）終端的射頻 （RF）收發(fā)器，它們將有助于降低成本，推動寬帶無線接入的大規(guī)模部署。基于IEE 802.16標準，WiMAX終端提供無線寬帶連接，是諸如DSL和
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ADI RF 電源技術 模擬技術 收發(fā)器 通訊 網絡 無線
- 目前的無線電結合了模擬和數字構造模塊。RF功能還是適合模擬電路實現，而基帶功能更適合于DSP的實現。
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設計 調制器 數字 輸出 RF
- 本文分析了影響對稱式射頻收/發(fā)開關性能的因素，包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進行設計和實現。
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設計 開關 對稱 CMOS 集成
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