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基于LDO的開關(guān)電源設(shè)計
- 電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分,其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關(guān)電源兩大類,由于開關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開關(guān)狀態(tài),本
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安森美半導(dǎo)體推出5款新集成器件

- 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出5款新的低壓降(LDO)及超低壓降線性穩(wěn)壓器,用于寬范圍汽車應(yīng)用,如后視攝像頭模塊、儀表組合、車身及底盤應(yīng)用。這些新器件以節(jié)省空間的集成方案提供150毫安(mA)輸出電流,符合汽車制造商對點(diǎn)火系統(tǒng)關(guān)閉時極低靜態(tài)電流的最新要求。 · NCV8667 – 極低靜態(tài)電流(Iq)穩(wěn)壓器,帶啟用(Enable)、復(fù)位及預(yù)警(Early Warning)功能 ·
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LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應(yīng)用

- LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應(yīng)用,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
- 關(guān)鍵字: 嵌入式 存儲器 應(yīng)用 StrataFlash 電路 線性 調(diào)節(jié)器 LDO
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