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power-fet 文章 最新資訊

如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理

  • 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號(hào)至VO；當(dāng)VC比V1足夠負(fù)，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

  • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
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使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路

  • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
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可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性

  • Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Stri
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IBM公司介紹新款多功能處理器Wire-Speed Power

  • 　　在近日舉辦的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)ISSCC上，IBM公司介紹了一種定位介于服務(wù)器處理器和網(wǎng)絡(luò)用處理器之間的新型處理器，他們將這種處理器命名為 Wire-Speed Power處理器，這種處理器據(jù)IBM公司稱是面向新的系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)推出的，其應(yīng)用領(lǐng)域包括網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備，服務(wù)器智能化I/O以及分布式運(yùn)算等。 　　IBM公司負(fù)責(zé)wire-speed架構(gòu)設(shè)計(jì)的首席設(shè)計(jì)師Charlie Johnson表示：“我認(rèn)為這款產(chǎn)品是IBM有史以來(lái)開(kāi)發(fā)的最復(fù)雜的產(chǎn)品。”IBM方面展示的有關(guān)介紹文件稱
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Vishay推出4款MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。 　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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友達(dá)光電宣布收購(gòu)FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

  • 　　友達(dá)光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購(gòu)技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購(gòu)FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。 　　FED技術(shù)在快速反應(yīng)時(shí)間、高效率、亮度和對(duì)比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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瞄準(zhǔn)高端市場(chǎng) 友達(dá)將收購(gòu)FET的部分資產(chǎn)

  • 　　臺(tái)灣友達(dá)科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議，友達(dá)將出資收購(gòu)FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示，其收購(gòu)的內(nèi)容將包括FED場(chǎng)射面板相 關(guān)技術(shù)專利，F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。 　　FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢(shì)，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計(jì)

  • 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問(wèn)題與日俱增，清潔的可再生能源市場(chǎng)應(yīng)運(yùn)而生。作為一種彌補(bǔ)石油、...
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XP Power推出低功率絕緣隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器JHM系列

  • 　　XP Power 正式宣布推出超緊湊低功率絕緣隔離DC/DC 轉(zhuǎn)換器JHM系列。該系列可選3W和6W的插件式安裝，封裝符合工業(yè)DIP-24引腳標(biāo)準(zhǔn)，并且符合國(guó)際醫(yī)療設(shè)備需要滿足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安規(guī)認(rèn)證。該產(chǎn)品提供3000VAC輸入至輸出絕緣一分鐘，可滿足BF和CF應(yīng)用所需要的次級(jí)絕緣要求，5000VAC絕緣可達(dá)10毫秒，可滿足心臟手術(shù)設(shè)備應(yīng)用。任何病人需要接觸到的醫(yī)療器械都需要提供危險(xiǎn)電壓的絕緣保護(hù)并且到達(dá)到低漏電流的標(biāo)準(zhǔn)。JHM系列漏電流僅
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“PAC 2009 China”金秋十月北京登場(chǎng)

  • 　　由Power.org 主辦的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛會(huì)將再次回到中國(guó)，大會(huì)將于10月14日在北京·柏悅酒店召開(kāi)。會(huì)議將聚焦多用途的Power架構(gòu)技術(shù)平臺(tái)以及它繁茂而充滿生機(jī)的生態(tài)系統(tǒng)。 本次大會(huì)將亮相基于Power 架構(gòu)的最新產(chǎn)品和解決方案以及來(lái)自Power.org的倡議，會(huì)議組織方還邀請(qǐng)了業(yè)界頂尖的專家做主題演講并展開(kāi)討論和交流。 　　當(dāng)今世界日新月異，根據(jù)需求不斷創(chuàng)新已經(jīng)成為時(shí)代發(fā)展的必然。Power Architecture
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