據報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。
美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經確認此事，并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現任應用材料副總裁，另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。
應用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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應用材料 DRAM NAND
報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。
Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現大幅度增長。
Simon Chen還表示，上游芯片供應商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產量，不過這種升級或許會因為其它設備的供應短缺而延緩。
根據DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
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DRAM DDR3 DDR2
湯森路透知識產權解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級專利權人》(2009 Top Patentees) 的分析結果，對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進行排名。這項研究發(fā)現，在這25家頂級公司中，無一家中國大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項專利位列第一， 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權名單還包括11家日本公司，中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。
2009年美國專利權人 TOP25
亞洲公司目前已經占據了專利權名單的56%，而日
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三星電子 芯片 LCD DRAM
三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。
三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內存(Gree
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三星電子 DRAM 30nm DDR3
導讀：《朝鮮日報》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷售業(yè)績在很大程度上依賴于芯片產品，而芯片的營業(yè)利潤容易根據市場環(huán)境起伏不定，這也被認為是三星的“致命弱點”。如果現在放松警惕，今后可能會面臨更大的危機。
以下為全文：
三星電子在韓國企業(yè)史上第一個實現“銷售額100萬億韓元、營業(yè)利潤10萬億韓元”的業(yè)績，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國《金融時報》29日報道稱：“從長遠來看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
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三星電子 芯片 LCD DRAM
近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(Elpida)說起。因為爾必達2009年沒錢轉進50納米技術制程后，最后決定跳過50納米，直接轉進45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導入，讓整個DRAM產業(yè)在50納米都還沒看到影子時，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產業(yè)貢獻多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機會大量生產，其它陣營的40納米技術，都是口頭說說成分居多。
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DRAM 40納米
LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內核和高速嵌入式 DRAM 內存模塊，進一步豐富了其業(yè)界領先的定制芯片 IP 產品系列。該新型處理器內核和內存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級交換機、路由器、RAID 存儲器、服務器以及基站等高性能應用中的高級網絡和存儲SoC 的開發(fā)。
定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
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LSI DRAM 內存模塊 PowerPC476
在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。
但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。
DDR3來臨
第三季度，下一代DRAM技術——DDR3看到希望，而且顯然這種技術代表未來的一股潮流。iSuppli公司預測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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DRAM DDR3 DDR2
據國外媒體報道，日本芯片生產商爾必達記憶體(Elpida)公司今日表示，預計2010年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)將出現供應短缺。
爾必達社長本幸雄在新聞發(fā)布會上接受采訪時表示，DRAM的價格可能將在截至2011年3月的會計年度企穩(wěn)。
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Elpida DRAM
2010年1月農歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數減少影響，而呈現下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。
存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴產計劃不斷，不少業(yè)者的機臺進廠時間落在下半年，從目前的設備交期6~9個月來推算，部分機臺交貨時間恐怕落到2011年。
在2010年科技業(yè)大擴產風潮下，市場紛紛看好設備業(yè)業(yè)績可望較2009年成長4~5成，不過近期在關鍵設備交期拉長到6~9個月的隱憂下，設備業(yè)者已開始擔憂，交期拉長恐怕使部分原本可在2010年交貨的機臺，延后到2011年，使全年業(yè)績成長幅度受到壓抑。
設備短缺現象自2009年第4季就已出現，尤其是關鍵機臺包括LED的金屬有機物化學氣相沉積(MO
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MOCVD，晶圓代工 DRAM
2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時期，終于守得云開見月明。春季溫和復蘇，夏季迎來光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。
三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22 億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。
DDR3 來臨
第三季度，下一代 DRAM 技術——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術代表未來的一股潮流。iSuppli 公司預測，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過DDR2。
三星在 DDR3
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DRAM DDR3
2010年臺DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術，但新制程關鍵恐未必在技術上，而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機臺設備采購是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機臺交貨不及，公司則澄清前期機臺已順利拉進來，轉換制程進度一切正常。
DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術最大挑戰(zhàn)是資金問題，其中，機臺購置成本占相當大比重，由于1臺機臺設備動輒要價新臺幣10億元，且每臺機器產能約僅1萬片，若1座產能達10萬片的12寸
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Samsung DRAM
嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案,介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎上，利用CPLD技術和80C196XL的時序特征設計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現。
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CPLD 解決方案 控制器 DRAM 系統(tǒng) 嵌入式
南亞科將逆勢擴建旗下12寸廠，從現有3萬片擴增至5萬~6萬片，成為此波DRAM景氣復蘇后，首家擴產的臺系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產能(加計華亞科)約9.5萬片，以目前全球單月12寸廠產能約100萬片計算，南亞科擴產后，全球市占率將首度挑戰(zhàn)10%，成為臺塑集團在 DRAM產業(yè)重要里程碑。
DRAM廠喜迎產業(yè)景氣復蘇，但苦于無錢擴增產能，2009年下半除趕緊將減產的產能回復，對于制程演進亦快馬加鞭，包括美光(Micron)、爾必達(Elpida)陣營2010年紛宣布要轉進40奈米制程世代
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南亞科 DRAM
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