- 根據配備各種存儲器的電子終端等的產量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為，1990年代曾經拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。
按8Gbit產品換算，NAND需求規(guī)模將達到400億個
《日經市場調查》的調查結果顯示，按8Gbit產品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
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三星 DRAM NAND
- 臺灣芯片產業(yè)正走在十字路口上，今天的決定可能影響業(yè)界未來多年的方向與活力。
目前臺灣的DRAM公司太多，又都債臺高筑，政府急于整合DRAM產業(yè)，因而創(chuàng)設臺灣記憶體公司(TMC)，推動整合。政府也終于處理迫切需要改變的半導體大陸投資政策。
民間半導體業(yè)者也做好改變的準備，張忠謀回任臺積電董事長，準備領導臺積電進軍大陸市場。聯電也把自己和大陸和艦半導體的關系正?；瑴蕚溆蛹磳砼R的改變。
臺積電與聯電深知下一階段的成長機會在大陸，也深知如果要成為大陸半導體領導廠商，必須做好全力打進市場
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臺積電 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產，爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導入40納米制程，將成為美光旗下第1個導入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出，雖然現在多家DRAM廠開始復工生產，但多是采用落后制程生產，也很難募得新資金升級機器設備，因此不認為全球DRAM產業(yè)供需會因此惡化。
美光表示，2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前
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Samsung 40納米 DRAM
- 隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠產能相當吸引人，不會像奇夢達倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。
現階段TMC還未有產能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
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美光 DRAM NAND
- 三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內存芯片工廠進行升級改造，這一過程中將裁員500人。
三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。
今年早些時候，三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當地擁有兩家工廠，分別生產DRAM內存芯片和NAND閃存芯片。
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三星 內存芯片 DRAM NAND
- “2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產保護而進行的戰(zhàn)略調整。
Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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Spansion DRAM 閃存
- 臺灣新成立DRAM公司——臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場的計劃正進入沖刺階段，臺灣半導體封測廠矽品周四表示，董事會通過將投資TMC普通股，金額10-20億臺幣，為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。
矽品發(fā)言人江百宏表示，“決定投資主要是看好TMC與日本爾必達的合作模式，而且這是政府支持的產業(yè)再造計劃。”
TMC公司人士則是不予置評。
為了整合臺灣DRAM產業(yè)，“經濟部”在今年3月便宣布主導成立TMC，由
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TMC DRAM
- 耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。
耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。
“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
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存儲器 DRAM 閃存 FeDRAM
- 爾必達和Numonyx已經推遲它們的代工計劃達6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產，如今要推遲到2010年的上半年。
盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達注資，可是對于存儲器制造商爾必達最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達還不可能如奇夢達同樣的命運，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經濟剌激，因為從長遠看能生存下來可能是個奇跡。
前些時候爾必達CEO己經把爾必達的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質疑為什么要支持
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爾必達 DRAM 50nm 40nm
- DDR3需求暢旺，市場缺口本季仍無法滿足，南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量，搶食商機。
在英特爾CULV平臺帶動需求下，DDR3價格走勢凌厲。根據集邦科技(DRAMe change)報價，1Gb DDR3現貨價格已從第二季末的1.5美元附近，近期已站穩(wěn)2.15美元以上，本季以來漲幅逾43%。
盡管DDR2最近也開始展開漲價行情，但現貨價仍在1.45美元附近，DDR3與DDR2仍有近五成的價差，價格優(yōu)勢帶動下，將有助推升業(yè)者營運。
在DDR3效應推升下，市調機構
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力晶 DRAM DDR3 CULV
- 曾經是歐洲最大內存廠的奇夢達進入資產拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內存產業(yè)領域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下，大陸內存產業(yè)鏈終于完備。
德國內存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰，并已正式進入資產拍賣階段。目前奇夢達的資產包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內存后
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奇夢達 晶圓 服務器 DRAM NAND
- 據金融時報報道，盡管有跡象表明，臺灣的DRAM存儲芯片產業(yè)可能擺脫為期三年的低迷，但分析師和高管仍然認為，臺灣可能無法充分利用改善中的市場前景。分析師普遍擔心臺灣DRAM存儲芯片公司是否能籌足現金，為工廠引進50納米技術。
DRAM芯片是每臺計算機不可缺少的部分，但該產業(yè)的過度擴張導致產品價格大幅下跌，過去三年累計虧損150億美元。
而經濟危機更加深了該行業(yè)的困境，唯一的歐洲領先DRAM存儲芯片廠商德國奇夢達今年破產。
臺灣南亞科技，——世界排名第五，上周稱公
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TMC DRAM 50納米 存儲芯片 DDR3
- 8月7日消息 據透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發(fā)出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經濟危機的影響未能成行。
目前韓國三星電子已經在使用40nm 6F2技術生產內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。
美國鎂光公司則已經
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爾必達 DRAM 40nm 50nm 60nm
- 臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產品已開始送樣，美光(Micron)產品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代，差點出現世代交替斷層危機，公司內部已研擬2010年將略過50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來真正決戰(zhàn)點會是40納米制程技術。
三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉進50納米制程，且
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DRAM 40納米 60納米 50納米
- 臺灣動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)制造大廠——南亞科周四表示，個人電腦需求量的日漸升溫將助推高其第三季晶片產出;其稍早公布的第二季虧損已有所縮減。
南亞科正押注未來數月的個人筆記本電腦需求，因這類產品需要新一代效能更高的記憶體晶片;但多數分析師仍表示，南亞科今年料難由虧轉盈。
南亞科副總白培霖向記者表示，“DRAM整體市場正逐步復蘇，我們在接下來的幾個月情況應該比較好。”
白培霖并稱，公司第三季的位元產出將成長最多20%，而第二季成長率
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