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富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)
- 富士通微電子公司日前宣布,已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù),可提高閃存讀取速度,并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中,引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素,從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達,訪問時間僅10ns,同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項技術(shù),便攜音視頻設(shè)備將有望改進性能,同時延長電池續(xù)航時間。 富士通表示,將以這項N
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Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場
- 據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟復(fù)蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈,類似于整體內(nèi)存市場的情形。 2009年第四季度總體NOR營業(yè)收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長0.7%。 “這標志這個市場連續(xù)第三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕,營業(yè)額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營業(yè)收入受到來自多個消費產(chǎn)品領(lǐng)域的需求推動,包括液晶電視、手機和電腦。需
- 關(guān)鍵字: Numonyx NOR 內(nèi)存
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標
- 存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲器廠退出,表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中,存儲器也是走在前列,如
- 關(guān)鍵字: 存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。 11月11日,臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞:中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權(quán),且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權(quán)。 這件事情所以在臺灣
- 關(guān)鍵字: 中芯國際 晶圓 NOR NAND
NAND成本優(yōu)勢明顯,NOR成明日黃花
- 市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告”指出,NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多。手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
- 關(guān)鍵字: 手機 NAND NOR
IBM停止Cell處理器開發(fā)
- 德國網(wǎng)站Heise Online證實(德語)IBM停止了Cell處理器的未來開發(fā)。 Cell處理器一度被認為是一項革命性的產(chǎn)品,但實際應(yīng)用證明它并不比競爭對手突出。IBM主管Deep Computing的副總裁David Turek證實PoweXCell 8i是最后一款Cell處理器。 當然停止芯片設(shè)計并不意味著它的死亡,目前多數(shù)的Cell芯片主要由東芝公司生產(chǎn),使用在索尼公司的PS3主機上。Sun 曾經(jīng)指出,3.2GHz的Cell處理器還沒有1.4GHz的SUN Niagara處理器快。有評論
- 關(guān)鍵字: IBM Cell 處理器
手機內(nèi)存:NAND優(yōu)勢愈加明顯,NOR風(fēng)光不再
- 市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND NOR RAM
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