nor-cell 文章 進(jìn)入nor-cell技術(shù)社區(qū)
三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲顆粒
- 相變存儲技術(shù)看來終于要走出實驗室,走向市場了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲芯片后,三星電子近日也宣布,推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲顆粒產(chǎn)品。 相變存儲屬于非易失性存儲技術(shù),可以像閃存那樣在關(guān)機(jī)后繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)。三星就表示,這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級NOR閃存顆粒完全兼容,方便客戶廠商在產(chǎn)品中加入該存儲顆粒。由于相變存儲技術(shù)的高寫入速度特性,采用PRAM可有效提升數(shù)碼設(shè)備的存儲速度。 三星表示,多芯片封裝PRA
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富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)
- 富士通微電子公司日前宣布,已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù),可提高閃存讀取速度,并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中,引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機(jī)存儲)中的電路元素,從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達(dá),訪問時間僅10ns,同時工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項技術(shù),便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能,同時延長電池續(xù)航時間。 富士通表示,將以這項N
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Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場
- 據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈,類似于整體內(nèi)存市場的情形。 2009年第四季度總體NOR營業(yè)收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長0.7%。 “這標(biāo)志這個市場連續(xù)第三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕,營業(yè)額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營業(yè)收入受到來自多個消費產(chǎn)品領(lǐng)域的需求推動,包括液晶電視、手機(jī)和電腦。需
- 關(guān)鍵字: Numonyx NOR 內(nèi)存
創(chuàng)造消費價值是關(guān)鍵

- 32位MCU強(qiáng)勢增長 從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1),08年出貨量是119億美元,到09年降低到86億美元。從增長曲線看,32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看,在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位,到10月底時,32位總體下降了近23%,而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看,8位的下降是26%,而32位只下降10%,因此從單位數(shù)量來說,32位下降較少,NXP(恩智浦)認(rèn)為32位還是有比較強(qiáng)勁的增長勢頭,這
- 關(guān)鍵字: MCU NAND NOR Android
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
- 存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲器廠退出,表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢達(dá)最先退出。奇夢達(dá)的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中,存儲器也是走在前列,如
- 關(guān)鍵字: 存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。 11月11日,臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞:中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權(quán),且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認(rèn)購2%的中芯股權(quán)。 這件事情所以在臺灣
- 關(guān)鍵字: 中芯國際 晶圓 NOR NAND
消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報道,近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠,而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理,張汝京等于找到了新舞臺。 臺灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報道稱,成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面,但王寧國未有正面回應(yīng),目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上,成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京,兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。 據(jù)報道,中芯在張汝京時代,曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議,成都市政府出資成立成
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NAND成本優(yōu)勢明顯,NOR成明日黃花

- 市場研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報告”指出,NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多。手機(jī)市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢“長壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
- 關(guān)鍵字: 手機(jī) NAND NOR
IBM停止Cell處理器開發(fā)
- 德國網(wǎng)站Heise Online證實(德語)IBM停止了Cell處理器的未來開發(fā)。 Cell處理器一度被認(rèn)為是一項革命性的產(chǎn)品,但實際應(yīng)用證明它并不比競爭對手突出。IBM主管Deep Computing的副總裁David Turek證實PoweXCell 8i是最后一款Cell處理器。 當(dāng)然停止芯片設(shè)計并不意味著它的死亡,目前多數(shù)的Cell芯片主要由東芝公司生產(chǎn),使用在索尼公司的PS3主機(jī)上。Sun 曾經(jīng)指出,3.2GHz的Cell處理器還沒有1.4GHz的SUN Niagara處理器快。有評論
- 關(guān)鍵字: IBM Cell 處理器
手機(jī)內(nèi)存:NAND優(yōu)勢愈加明顯,NOR風(fēng)光不再

- 市場研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢"長壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND NOR RAM
傳Spansion將出售日本300mm工廠
- 據(jù)來自ISMI Symposium的消息,NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。 Spansion高層拒絕對這座名為SP1工廠的狀態(tài)進(jìn)行評論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn),目前正在對可能的重組方案進(jìn)行評估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作,并通過我們內(nèi)部和外部的資源,對客戶的要求進(jìn)行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。 2007年,Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
- 關(guān)鍵字: 閃存 NOR 300mm
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