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Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場
- 據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈,類似于整體內(nèi)存市場的情形。 2009年第四季度總體NOR營業(yè)收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長0.7%。 “這標志這個市場連續(xù)第三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕,營業(yè)額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營業(yè)收入受到來自多個消費產(chǎn)品領域的需求推動,包括液晶電視、手機和電腦。需
- 關鍵字: Numonyx NOR 內(nèi)存
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風向標
- 存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應用市場面寬,使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲器廠退出,表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉移中,存儲器也是走在前列,如
- 關鍵字: 存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。 11月11日,臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞:中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權,且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。 這件事情所以在臺灣
- 關鍵字: 中芯國際 晶圓 NOR NAND
加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)

- 全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布,該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同,正式投資落戶上海。今天上午,恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址,并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領導。雙方代表齊聚一堂,共同見證了這一重要歷史時刻。 恒憶正式成立于2008年3月,是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè),擁有技術
- 關鍵字: Numonyx NOR NAND RAM PCM
恒憶與三星合作的生意經(jīng)
- 2009年6月24日,恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器(Phase Change Memory,PCM)產(chǎn)品的市場規(guī)格,兩大存儲器廠商的攜手再次印證了“商場上沒有永遠的對手”。 韓國三星電子稱霸存儲器行業(yè)已有多時,其DRAM市場近30%、閃存市場近40%的份額長期無可撼動。而恒憶作為存儲器行業(yè)的新寵,其正式成立距今不過一年左右的時間。它的主要業(yè)務是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM,并利
- 關鍵字: Numonyx PCM DRAM RAM NOR
恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格,此新一代存儲技術可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準,將有效簡化設計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間,使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關鍵字: Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
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