三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款三
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三星 30nm NAND
據悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉強，帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產能吃緊現象將延續(xù)到明年1、2月。
NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場，并與創(chuàng)見合作銷售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場，只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測廠產能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
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SanDisk NAND 封測
臺灣DigiTimes報道，數家內存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產業(yè)共同標準，與會者們預計隨著制程逐漸過渡到20nm，NAND閃存價格將出現大幅下跌，最終實現一個可負擔的水平，不過這一時間點被認為是2011年以后。
此外，來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格，以解決來自國際供應商控制的核心技術。
去年Fusion-io公司首席科學家Steven Wozniak曾表示，他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低，同時性能更高，也不需
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NAND SSD
由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應NAND Flash數量相當有限，12月供應量控制亦開始松動，以及白牌記憶卡在市面上流通數量增加，使得淡季需求明顯反映在現貨及合約價上，近2個月NAND Flash價格從高檔連續(xù)緩跌，累計回檔幅度相當深。不過，多數存儲器業(yè)者認為，由于價格跌幅已大，預計后續(xù)再大跌機率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價開出，便呈現持平到小跌局面。
存儲器業(yè)者表示，蘋果對于NAND Flash供
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蘋果 NAND SSD
市場研究機構水清木華日前發(fā)布“2009年手機內存行業(yè)研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應用領域單一，應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢越明顯，應用領域更廣泛，應用廠家也多。手機市場變化迅速，現在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
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手機 NAND NOR
盡管IC產業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經濟危機影響的存儲產業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
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Numonyx NAND NOR閃存 PCM
盡管 IC 產業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經濟危機影響的存儲產業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
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Numonyx NAND NOR閃存
市場研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
引 言
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Flash FSMC STM NOR
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。
PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內能保存多個比特，因此存儲密度和成本
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NAND 閃存 相變存儲
2008年DRAM產業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產業(yè)的巨大問題，因此經濟部為挽救臺灣內存演產業(yè)，宣布要進行產業(yè)再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內存產業(yè)再造的任務，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產
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TIMC DRAM NAND Flash
美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯(lián)網設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應用的核心特色。
美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產品，預計于2010年初投入量產。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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美光 NAND 34納米 智能手機
10月28日消息，據國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內將半導體業(yè)務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。
三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業(yè)務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。
三星指出，明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現小規(guī)模短缺情況。
韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
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三星 NAND 存儲
為數字消費、家庭網絡、無線、通信和商業(yè)應用提供業(yè)界標準處理器架構與內核的領導廠商 MIPS 科技公司今天宣布，發(fā)布了一個針對 MIPSTM 優(yōu)化的ActionScript® 虛擬機(VM)版本，可用在 Adobe® Flash® Player等引人注目的網絡連接技術。ActionScript VM可通過Tamarin開源項目獲得，是運行在MIPS架構上的優(yōu)化的Adobe Flash Player的關鍵組件。MIPS的優(yōu)化加速ActionScript 3的驗證套件(validat
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MIPS Flash ActionScript
nand-flash介紹
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