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nand閃存 文章 最新資訊

爾必達(dá)計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

  • 　　3月4日消息，據(jù)國外媒體報道，爾必達(dá)公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產(chǎn)。 　　爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個研發(fā)工廠。 　　爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用增長趨勢明顯，爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體
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市場調(diào)研公司開始對于2010年半導(dǎo)體市場作第一次修正

  • 　　全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測。為什么如此迫不及待，值得思考。 　　按SIA總裁的看法,全球半導(dǎo)體銷售額1月的最新數(shù)據(jù)(三個月的移動平均值) 比12月的225億美元上升0,3%,分析推動市場增長在眾多方面, 包括計算機(jī), 手機(jī), 汽車電子和工業(yè)應(yīng)用。如果與去年同期相比, 銷售額增長達(dá)47%,顯然與09年1月時正值全球的最低點有關(guān)。 　　   　　SIA總裁Scalise認(rèn)為,傳統(tǒng)上因為季節(jié)的原因, 通常1月會比12月有所下降, 所以
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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝

  • 　　繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。 　　海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存。 　　海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產(chǎn)能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據(jù)韓國當(dāng)?shù)孛襟w的報道，海力士將在今年第三季度開始量產(chǎn) 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經(jīng)占
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智能手機(jī)將使用更高性能的Managed型NAND閃存

  • 　　盡管智能手機(jī)在其它許多方面目前比普通手機(jī)更為先進(jìn)，但目前智能手機(jī)中所配用的閃存與普通手機(jī)里的并沒有太大的區(qū)別，仍然使用的是普通規(guī)格的閃存，這種閃 存在讀寫性能方面較為一般化。不過這種情況在未來一段時間內(nèi)有望改觀，閃存芯片廠商會為手機(jī)制造性能更好，可媲美PC用閃存性能的閃存芯片。   　　鎂光公司副總裁Brian Shirley稱：“目前大多數(shù)播放器使用的都是普通的RAW型NAND閃存，不過我們未來會向手機(jī)推出更高級的Managed型NAND閃存。”這種Mana
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TDK推出兼容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤

  • 　　TDK公司2008年11月17日宣布，將于2008年12月開始銷售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè) 用CompactFlash（CF）存儲卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤 （SSD），最大容量高達(dá)16 Gbyte。 　　這些產(chǎn)品將TDK獨創(chuàng)的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫 入單層單元（SLC）NAND閃存相結(jié)合，從而打造出業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的NAND閃存卡，在高速性 能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺階。 　　此外，
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福布斯：Sun的閃存夢想

  • 　　《福布斯》日前刊文指出，昔日的服務(wù)器巨頭Sun微系統(tǒng)公司正將其新的希望寄托在基于閃存技術(shù)的創(chuàng)新產(chǎn)品之上，希望借此恢復(fù)昔日的輝煌。 　　11月3日，Sun推出了一系列基于NAND閃存的數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品。眾所周知，閃存廣泛應(yīng)用于諸如iPods、筆記本、MP3、MP4產(chǎn)品之中，因為閃存不僅可以提供更快的存儲速度，而且更省電。為此Sun號稱其全新的存儲系統(tǒng)Amber Road不僅更輕薄易于使用，而且其速度和效率是同等產(chǎn)品的4倍。 　　不像傳統(tǒng)的硬盤，固件方式的閃存沒有旋轉(zhuǎn)的部件，因此不需要花費
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美光科技關(guān)廠、裁員、降薪

  • 　　北京時間10月10日消息，據(jù)國外媒體報道，半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商美光科技（Micron Tech）表示，公司將會關(guān)閉位于美國愛達(dá)荷州首府博伊西（Boise）的NAND閃存芯片工廠，另外，作為電腦存儲芯片業(yè)務(wù)重組的一部分公司將在兩年內(nèi)裁員15%。 　　美光科技目前的員工總數(shù)約為2.26萬人，此次裁員涉及總?cè)藬?shù)為2850人，其中1500人來自博伊西。 　　本周四，美光科技表示，消費者需求下降和產(chǎn)品過渡供應(yīng)導(dǎo)致閃存芯片的售價低于成本，因此公司決定關(guān)閉位于博伊西的NAND閃存工廠，并于未來
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金融風(fēng)暴蛻變之痛 芯片制造業(yè)重新洗牌

  • 　　10月10日 據(jù)知情人透露，五樁價值數(shù)十億美元的重大交易目前已經(jīng)擺上臺面，牽涉到日本、臺灣和韓國的芯片制造業(yè)巨頭。日本電子業(yè)巨頭東芝正在進(jìn)行談判，意欲收購美國的內(nèi)存芯片制造商Spansion。內(nèi)存芯片是手機(jī)、筆記本電腦、攝像機(jī)、MP3播放器等高科技產(chǎn)品的重要支柱。不過，由于全球金融危機(jī)壓抑了消費者的購物熱情，對高科技產(chǎn)品的需求直線降低，導(dǎo)致內(nèi)存芯片的需求跟著下跌，致使芯片售價低于制造成本。 　　法國巴黎銀行分析師彼得-于(Peter Yu)說：“這堪比一場完美風(fēng)暴。這個產(chǎn)業(yè)正步入產(chǎn)
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SSD存儲技術(shù)將終結(jié)HDD

  • 　　HDD(混合硬盤存儲)、磁盤存儲技術(shù)將會讓位于更簡便的、更有效的SSD(固態(tài)存儲)。有什么證明嗎？希捷、西部數(shù)據(jù)、三星、東芝。英特爾、富士通、AMD、Micron、SandDisk以及LSI邏輯等企業(yè)正在開發(fā)閃存技術(shù)作為下一代處理器，并已形成規(guī)模。有一些企業(yè)諸如Spansion 和Virident Systems正在開發(fā)先進(jìn)的SSD技術(shù)。閃存技術(shù)是可移動USB存儲設(shè)備的蘋果iPod以及iPhone的核心。戴爾和Sun等多年前就在開發(fā)SSD技術(shù)。以下分析可以說明為何SSD是HHD的殺手。 　　高可靠性
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Seagate欲收購SanDisk 分析師表示不看好

  • 　　據(jù)EETimes報道，近來在閃存產(chǎn)業(yè)界盛傳希捷(Seagate)將全部或部份收購SanDisk；不過對于這樁可能的婚事，分析師卻不看好。 　　有人推測Seagate僅對SanDisk的固態(tài)硬盤(SSD)業(yè)務(wù)感興趣；更早的時候還有謠傳指出Seagate將收購Simple Tech (一家SSD和其它產(chǎn)品供貨商)。不過Seagate不愿對這些謠言發(fā)表評論，SanDisk也不做任何響應(yīng)。 　　雖然身為一家硬盤機(jī)供貨商，Seagate對閃存技術(shù)非常感興趣，且認(rèn)為SSD將對其傳統(tǒng)業(yè)務(wù)構(gòu)成潛在威脅。為了維護(hù)市
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東芝提高手機(jī)存儲卡產(chǎn)能60%

  • 　　日本最大的芯片制造商東芝公司計劃將手機(jī)用小型存儲卡產(chǎn)能提升60%。昨天，外電引述業(yè)內(nèi)人士的分析稱，隨著日本國內(nèi)越來越多的人希望能在手機(jī)上觀看和錄制電視節(jié)目，市場對手機(jī)內(nèi)存的需求變得異常旺盛。公司打算逐月增產(chǎn)東芝Micro SD閃存卡，盡量趕在2009年春季實現(xiàn)月產(chǎn)2000萬件的目標(biāo)。 　　近日，東芝隆重推出了用于移動數(shù)碼消費設(shè)備的最大容量嵌入式NAND閃存，預(yù)計今年第四季度開始量產(chǎn)。
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手機(jī)拆機(jī)分析揭示移動存儲的未來

  • 　　NAND和mDRAM激增，NOR-less機(jī)型增多 　　手機(jī)內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化？ 　　在相對較短的時間內(nèi)，隨著手機(jī)從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具，手機(jī)所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。 　　這種轉(zhuǎn)變的背后，是因為市場需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機(jī)RAM
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存儲卡和優(yōu)盤市場仍有巨大潛力

  • 　　6月5日消息，盡管業(yè)內(nèi)廠商認(rèn)為存儲卡和優(yōu)盤市場飽和了，金士頓公司總裁John Tu最近表示，這個市場仍存在巨大的商業(yè)潛力。 　　Tu說，存儲卡和優(yōu)盤每個月的平均出貨量達(dá)2000萬個。巨大的出貨量表明這個市場仍在增長。他認(rèn)為，存儲卡和優(yōu)盤將作為消費者與不同種類的內(nèi)容打交道的一個“平臺”。 　　雖然許多人認(rèn)為存儲設(shè)備廠商應(yīng)該向數(shù)字內(nèi)容提供商付費以便為其產(chǎn)品產(chǎn)品增加內(nèi)容，但是，Tu說應(yīng)該是內(nèi)容提供商向金士頓付費，以便通過金士頓成功的銷售網(wǎng)絡(luò)、品牌和市場份額來分
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產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強(qiáng)電介質(zhì)NAND閃存單元

  • 　　日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強(qiáng)電介質(zhì)柵極電場效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元?？刹翆?億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細(xì)化到30nm左右，而此次的存儲單元技術(shù)還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術(shù)。   　　此次，通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
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芯片設(shè)備業(yè)有望迎來新一輪增長周期

  • 　　《商業(yè)周刊》文章指出，經(jīng)過一年時間的磨難和快速衰退，半導(dǎo)體廠商們有望在2009年迎來新一輪增長周期。 　　當(dāng)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士正在為美國經(jīng)濟(jì)是否已經(jīng)陷入衰退而爭論不休時，半導(dǎo)體設(shè)備廠商們早就經(jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標(biāo)準(zhǔn)普爾分析師Angelo Zino表示：“芯片設(shè)備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期，它早在一年前就已經(jīng)進(jìn)入衰退期，2008年的情況也不太樂觀。” 　　Zino說，預(yù)計今年的半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額將繼續(xù)下滑，主要是因為內(nèi)存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說：“我們
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nand閃存介紹

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