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創(chuàng)新人才缺乏 2013年LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展后勁不足

  •   時(shí)間走到2013年,如果再問21世紀(jì)最缺的是什么,最貴的是什么?沒錯(cuò),仍是人才。所謂人才,是具有一定的專業(yè)知識或?qū)iT技能,進(jìn)行創(chuàng)造性勞動(dòng)并對社會作出貢獻(xiàn)的人。其定義中的創(chuàng)造性決定了并非是人便為才,聯(lián)想到中國LED行業(yè),我們不得不承認(rèn),我們不缺資金,不缺設(shè)備,最缺的是人才,   大陸的LED高端人才欠缺,是大陸LED產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展相對滯后最重要的表現(xiàn)。如今LED專利戰(zhàn)已經(jīng)開打,核心技術(shù)人員的缺乏便成為各企業(yè)發(fā)展的瓶頸,LED企業(yè)想有良好的發(fā)展,必須破解人才緊缺這一難題。   人才問題掣肘產(chǎn)業(yè)發(fā)展  
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創(chuàng)新人才缺乏 2013年LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展后勁不足

  •   時(shí)間走到2013年,如果再問21世紀(jì)最缺的是什么,最貴的是什么?沒錯(cuò),仍是人才。所謂人才,是具有一定的專業(yè)知識或?qū)iT技能,進(jìn)行創(chuàng)造性勞動(dòng)并對社會作出貢獻(xiàn)的人。其定義中的創(chuàng)造性決定了并非是人便為才,聯(lián)想到中國LED行業(yè),我們不得不承認(rèn),我們不缺資金,不缺設(shè)備,最缺的是人才,   大陸的LED高端人才欠缺,是大陸LED產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展相對滯后最重要的表現(xiàn)。如今LED專利戰(zhàn)已經(jīng)開打,核心技術(shù)人員的缺乏便成為各企業(yè)發(fā)展的瓶頸,LED企業(yè)想有良好的發(fā)展,必須破解人才緊缺這一難題。   人才問題掣肘產(chǎn)業(yè)發(fā)展  
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國產(chǎn)首臺套LED核心裝備成功下線

  •   上海理想能源有限公司研制開發(fā)的LED核心制造裝備——— 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備日前成功下線,該公司已與我國臺灣一家光電公司簽訂了37臺套設(shè)備應(yīng)用驗(yàn)證合同,為下一步投入市場、大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化奠定了基礎(chǔ)。   LED作為重要的新型綠色光源產(chǎn)品,MOCVD設(shè)備是整個(gè)LED照明產(chǎn)業(yè)鏈中最關(guān)鍵的制造裝備,其設(shè)備成本占整個(gè)芯片設(shè)備成本的50%左右。由于技術(shù)含量高,制造工藝復(fù)雜,目前全球的MOCVD設(shè)備市場主要被國外兩家設(shè)備供應(yīng)商所壟斷。   上海理想能源設(shè)備有
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MOCVD自主生產(chǎn)推動(dòng)LED產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展

  •   12月12日,我國首臺具有世界先進(jìn)水平的大型國產(chǎn)MOCVD設(shè)備在上海張江高新區(qū)核心園發(fā)運(yùn)。有關(guān)專家表示,這不僅標(biāo)志著我國在實(shí)現(xiàn)大型MOCVD設(shè)備國產(chǎn)化戰(zhàn)略目標(biāo)的征途上邁開了具有里程碑意義的一步,而且充分體現(xiàn)了中國有能力在高端裝備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式發(fā)展。   據(jù)介紹,MOCVD是在氣相外延生長基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。作為LED芯片生產(chǎn)過程中最為關(guān)鍵的設(shè)備,MOCVD的核心技術(shù)長期被歐美企業(yè)壟斷,嚴(yán)重制約了我國LED產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。隨著半導(dǎo)體照明逐漸成為LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動(dòng)力,現(xiàn)有被壟
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LED“兩高一低”需綜合解決方案

  •   中國光協(xié)光電器件分會顧問、福建省光電子行業(yè)協(xié)會專家組組長 彭萬華   當(dāng)前半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展目標(biāo)是徹底解決“兩高一低”的技術(shù)問題,即高能效、高質(zhì)量(含光色質(zhì)量和可靠性)、低成本的技術(shù)。只有很好地解決這些技術(shù)問題,才能為人們提供節(jié)能、環(huán)保、健康、舒適的照明環(huán)境。解決"兩高一低"的技術(shù)問題,應(yīng)從產(chǎn)業(yè)鏈的主要部分,即襯底、外延、芯片、封裝和應(yīng)用等方面提出解決方案。   襯底、外延、芯片技術(shù)不斷突破   全球外延、芯片企業(yè)有142家,我國投產(chǎn)36家,籌建
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導(dǎo)致戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)LED陷入困局的原因

  •   我國部分戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)由于缺乏自主知識產(chǎn)權(quán)和核心技術(shù),還處于產(chǎn)業(yè)鏈低端環(huán)節(jié),產(chǎn)品附加值不高。特別對LED等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)來說,在經(jīng)歷了“臺風(fēng)來了豬也會飛”的紅利時(shí)代后,突然陷入產(chǎn)能過剩、產(chǎn)品價(jià)格下滑、小微企業(yè)瀕臨倒閉的發(fā)展危局。其原因何在?筆者參加了相關(guān)課題組,在深圳、上海等地進(jìn)行調(diào)研。通過對LED行業(yè)的調(diào)查,發(fā)現(xiàn)我國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)在發(fā)展過程中面臨的問題與制約因素具有共性,值得深入分析探討。   2011年以來,受外圍經(jīng)濟(jì)不景氣影響,作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)中重要組成部分的LED行
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廣東再啟LED封裝MOCVD設(shè)備專利分析預(yù)警

  •   繼今年7月之后,廣東再度開啟LED封裝MOCVD設(shè)備專利分析預(yù)警。11月14日下午,由廣東省知識產(chǎn)權(quán)局舉辦的全省LED產(chǎn)業(yè)封裝和MOCVD設(shè)備領(lǐng)域核心專利分析及預(yù)警報(bào)告會在中山舉行,來自廣東省內(nèi)100多名LED封裝工程技術(shù)、公司高管、行業(yè)組織代表聽取了分析預(yù)警報(bào)告。與今年7月舉辦的LED封裝MOCVD設(shè)備專利分析預(yù)警報(bào)告由中山大學(xué)咨詢主導(dǎo)不同的是,本次分析預(yù)警由華南師范大學(xué)承擔(dān)。   根據(jù)華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所教授范廣涵所作的報(bào)告顯示,LED封裝領(lǐng)域,中國在原創(chuàng)專利申請數(shù)量領(lǐng)先于其它國家
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LED行業(yè)“冷思考”:保增長細(xì)分市場是突破口

  • ?  2012年,LED產(chǎn)業(yè)正遭受前所未有的嚴(yán)峻考驗(yàn)。一方面是投資過熱帶來嚴(yán)重后果:2009年到2010年,LED業(yè)的投資出現(xiàn)了大量跟風(fēng)和非理性的現(xiàn)象。特別是LED上游,近兩年MOCVD裝機(jī)量、投產(chǎn)量對比2008年前增長超過10倍。產(chǎn)能的不對稱增長造成行業(yè)利潤水平急劇下降,而且到目前為止還看不到止滑的趨勢。另一方面是在市場重壓下,不成熟的資本市場推波助瀾,造就了一批整體難言優(yōu)質(zhì)的LED上市企業(yè)。
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德豪潤達(dá):上半年凈利增兩成 超70臺MOCVD即將投產(chǎn)

  •    8月28日,德豪潤達(dá)發(fā)布2012半年度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),德豪潤達(dá)營業(yè)總收入約為12.24億元,同比下降1.01%;利潤總額約為1.49億元,同比增長12.57%;歸屬上市公司股東凈利潤約為1.24億元,同比增長21.50%。   德豪潤達(dá)表示報(bào)告期內(nèi),公司蕪湖及大連LED產(chǎn)業(yè)基地的外延片及芯片的產(chǎn)能繼續(xù)釋放,已有20多臺MOCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),預(yù)計(jì)下半年公司將會有超過70臺MOCVD設(shè)備投入量產(chǎn),LED芯片產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到臺韓主力廠家同等水平,成為全球主要的高亮度LED芯片提供商。隨著公司
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國產(chǎn)MOCVD“市場化”阻力

  •   對于一家高端設(shè)備企業(yè)而言,設(shè)備只是一個(gè)產(chǎn)品,更重要的是如何將它推向市場,以及客戶能否穩(wěn)定使用。   “持續(xù)的技術(shù)提升和客戶服務(wù),需要很長的時(shí)間做支持。首先自己需要很長的時(shí)間去做工藝測試,自己穩(wěn)定以后才能推向市場?!苯?,北方微電子總裁趙晉榮在接受《高工LED》獨(dú)家專訪時(shí)表示,國產(chǎn)MOCVD真正成功,并走向市場化,至少需要3年時(shí)間。   我們來看一組數(shù)據(jù):2 家國際巨頭Aixtron和Veeco,占據(jù)全球MOCVD市場近90%的份額,2 011年取得近100億元的營收。高工L
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LED價(jià)恐續(xù)跌20% 國內(nèi)半數(shù)廠將倒閉

  •   Thomson Reuters 27日報(bào)導(dǎo),產(chǎn)能過剩、價(jià)格下滑恐怕會讓國內(nèi)半數(shù)生產(chǎn)應(yīng)用于三星電子(Samsung)液晶電視、Sharp計(jì)算機(jī)顯示器背光源的發(fā)光二極管(LED)業(yè)者關(guān)門大吉,只有獲得國家扶植的大型業(yè)者能夠存活。匯豐(HSBC)分析師Jerry Tsai指出,全球電視、計(jì)算機(jī)銷售疲弱恐讓LED售價(jià)在今(2012)年續(xù)跌20%。對規(guī)模較小的國內(nèi)LED業(yè)者而言,整并或關(guān)廠將是唯一選擇。相較之下,市值達(dá)28億美元的LED巨擘三安光電(Sanan Optoelectronics Co. Ltd.)
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概述LED芯片生產(chǎn)過程與MOCVD知識

  • LED外延片(外延片)LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長的基本原理是:在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si)上,氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面,生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技
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2012年全球高亮度LED市場發(fā)展情況預(yù)測分析

  •   LEDinside整合報(bào)導(dǎo):高亮度LED市場產(chǎn)值年成長率將為13.4%,規(guī)模達(dá)101億美元;但2012年MOCVD機(jī)臺需求量將大幅縮減至200臺,且上半年LED產(chǎn)業(yè)景氣將較疲弱,因此將難回復(fù)至2010年高度成長情形,若有新增機(jī)臺建置,預(yù)估將集中于2012年下半安裝。   2012年日本、韓國、臺灣于高亮度LED市場比重合計(jì)達(dá)61.3%,可謂亞洲地區(qū)主導(dǎo)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢愈加明顯。其中,2012年中國大陸成長幅度將達(dá)30%,主要原因?yàn)橄惹按罅坑嗁彽腗OCVD機(jī)臺,將有約150臺遞延至2012年投產(chǎn),然
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十二五計(jì)劃擬建50個(gè)“十城萬盞”試點(diǎn)城市

  •   科技部昨(7)日發(fā)布《半導(dǎo)體照明科技發(fā)展十二五專項(xiàng)規(guī)劃(征求意見稿)》提出,到2015年,大陸半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模要達(dá)到5000億元,形成20-30家龍頭企業(yè),建成50個(gè)“十城萬盞”試點(diǎn)示范城市。   據(jù)意見稿提出,十二五半導(dǎo)體照明的具體目標(biāo)為,白光LED器件光效達(dá)國際同期先進(jìn)水平(150-200 1m/W),LED光源/照明燈具光效達(dá)到80 lm/W,硅基半導(dǎo)體照明、創(chuàng)新應(yīng)用、智能化照明系統(tǒng)及解決方案開發(fā)等達(dá)到世界領(lǐng)先水平,形成核心專利300項(xiàng)。   產(chǎn)品發(fā)展目標(biāo)為,80%
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璨圓光電再次訂購愛思強(qiáng)CRIUS II-XL 及 G5 HT系統(tǒng)

  •   德國愛思強(qiáng)股份有限公司今日宣布,長期客戶璨圓光電已經(jīng)簽定新訂單訂購若干MOCVD系統(tǒng)。該訂單包括4個(gè)19x4英寸的晶圓配置CRIUS? II-XL系統(tǒng)及2個(gè)14x4英寸的晶圓配置G5 HT反應(yīng)器,該系統(tǒng)將用于制造超高亮度 (Ultra-High Brightness) GaN藍(lán)色及白色發(fā)光二極管(LED)產(chǎn)品。   璨圓光電在2012年第二季度發(fā)出訂單,該訂單將于第三季度與第四季度之間交付。系統(tǒng)將在該公司位于臺灣Pin-Jen工業(yè)區(qū)設(shè)備先進(jìn)的新工廠內(nèi)安裝及調(diào)試。   “我們璨圓光電在幾
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mocvd介紹

MOCVD   MOCVD是金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù).它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體 [ 查看詳細(xì) ]

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