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mlc nand 文章 最新資訊

NAND閃存深入解析

  • 對于許多消費類音視頻產品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案,這在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn) ...
  • 關鍵字: NAND  閃存  

DRAM漲價或提氣

  • DRAM曾是半導體業(yè)的王牌產品,在上世紀90年代的半導體市場上曾約占到3~4成的樣子,同時,它的加工技術、設備技術和生產線技術也常常主導著半導體產業(yè)的技術開發(fā)。Intel公司40年前研發(fā)出的DRAM,后成為PC的核心器件之一而獲得傲人的成長。
  • 關鍵字: DRAM  NAND  201305  

英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧

  •   英特爾公司今天宣布,該公司董事會已經一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執(zhí)行官,以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據(jù)稱,卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會召開之際開始履職。    ?   卡扎尼奇自2012年1月以來一直擔任英特爾首席運營官,此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執(zhí)行官。與此同時,歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執(zhí)行官。   卡扎尼奇現(xiàn)年52歲,自在1982年加盟英特爾以來,就一直擔任該公司
  • 關鍵字: 英特爾  NAND  

64GB NAND閃存芯片需求保持強勁

  •   根據(jù)行業(yè)觀察家表示,受智能手機和平板電腦強勁需求推動,64GB NAND閃存市場一直在增長,高密度芯片價格高居不下,反映當前供不應求市場狀況。   智能手機和平板電腦市場對NAND芯片需求旺盛,也對現(xiàn)貨市場上的芯片供應帶來了負面的影響,即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應系統(tǒng)制造商表示,許多下游模塊廠和渠道分銷商已經無力獲得穩(wěn)定的供貨。   供應緊張狀況,鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單,比如為智能手機提供容量高達64GB的NAND閃存芯片,并且獲利高于功能手機和其他消費電子產品。   有消息表示,目
  • 關鍵字: NAND  閃存芯片  

產業(yè)大腕云集深圳,共話閃存與移動技術的世紀交鋒

  • 2013年,隨著智能機平板市場繼續(xù)走熱,以NAND Flash為核心的各類存儲器件缺貨嚴重,存儲器件的供應在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢態(tài)嗎?2013年智能機平板電腦超極本平臺廠商發(fā)力重點在哪里?如何實現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過第二屆NAND Flash應用高峰論壇,本土存儲器件領軍企業(yè)BIWIN匯聚產業(yè)鏈上下游力量,共同應對存儲挑戰(zhàn),推進智能機平板創(chuàng)新。
  • 關鍵字: NAND  存儲器  BIWIN  

第四季度NAND營業(yè)收入創(chuàng)最高記錄

  • 意外!NAND閃存去年第四季度營業(yè)收入達到最高紀錄,扭轉連續(xù)下滑局面
  • 關鍵字: NAND  AMOLED  

IHS:2012年Q4全球NAND營收大幅成長17%

  •   根據(jù)市場研究公司IHS iSuppli 的調查報告,全球 NAND 快閃記憶體市場在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營收成長──大幅上揚17%,達到了56.34億美元的營收,結束先前連續(xù)五年第四季營收平均下滑6%的記錄。   2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達到了202.11億美元。其中,三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應商,兩家公司總共就占掉 NAND 市場三分之二的市占率。此外,美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應商。   三星在2012年第四季的
  • 關鍵字: 美光  NAND  

NAND閃存去年第四季度意外增長

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場簡報,2012年第四季度NAND閃存產業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀錄,結束了之前連續(xù)五個第四季度的下滑局面。   2012年第四季度NAND產業(yè)的營業(yè)收入為56億美元,比第三季度的48億美元勁增17%。從兩個方面來看,這種環(huán)比增長具有重要意義:一是結束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢,二是創(chuàng)出了產業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。   三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上,名列前茅。NAND閃存產業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元,
  • 關鍵字: NAND  閃存  

2013半導體產業(yè)將實現(xiàn)溫和增長

  •   2012年半導體產業(yè)營業(yè)收入為3030.0億美元,相比2011年的3102.1億美元有所降低。預計2013年全球半導體產業(yè)營業(yè)收入增長6.4%,達到3223.0億美元。在經歷了極其艱難的2012年之后,預計今年半導體產業(yè)將溫和增長,智能終端、電視與計算等關鍵消費電子產品成為推動芯片營業(yè)收入與需求增長的主要動力。   智能終端   2012年半導體產業(yè)營業(yè)收入的下降,緣于消費者在電子產品上面的支出不振,尤其是電腦采購將近占到半導體產業(yè)營業(yè)收入與硅片需求的60%,但是2012年電腦產品的采購量低迷。令
  • 關鍵字: DRAM  NAND  

半導體領域"前淡后旺"

  •   全球半導體領域在的宏觀經濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年,近期在美國經濟成長逐漸獲得改善之際,領域在末季看似有了復蘇跡象。 雖然12月份全球半導體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長,但依然不足以抵銷市場分析員對國內半導體領域的消極看法。   考慮到在全球經濟不明朗,對電子產品需求量帶來打擊下,市場分析員依然謹慎看待我國今年的半導體領域,特別是受大選情緒影響的上半年,而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何,在預計下半年經濟大環(huán)境獲得改善的情況下,國內半導體業(yè)者或將隨著趨勢上演反
  • 關鍵字: 半導體設備  NAND  

鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

  •   閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術,裸片面積只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。   TLC閃存每單元存儲3bit數(shù)據(jù),它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力,目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術。   不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算,128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場,例如SD和USB閃存驅動
  • 關鍵字: 鎂光  NAND  

分析:iPhone助推2012年閃存產業(yè)發(fā)展

  •   根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報告,雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛,但由于超級本銷售仍然低迷,使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年,閃存(NAND)產業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過,經過去年的低迷期,今年收益將有所增長,達到224億美元,并在接下來的幾年內持續(xù)增長。   具體可參見下表。    ?   “閃 存具備高密度內存,大容量傳輸?shù)男阅?。?012年,蘋果iPhone是NAND的
  • 關鍵字: 閃存  NAND  

2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

  • 據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告,2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現(xiàn)騰飛,2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
  • 關鍵字: 蘋果  閃存  NAND  

NAND Flash內存設備的讀寫控制設計

  • NAND Flash內存設備的讀寫控制設計,引言

      NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性,在數(shù)碼相機、手機、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。NAND Flash
  • 關鍵字: 控制  設計  讀寫  設備  Flash  內存  NAND  

基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析

  • 基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,0 引 言
    現(xiàn)階段嵌入式產品作為U 盤掛載到PC機上在各類電子產品中被越來越多的應用,Linux操作系統(tǒng)在電子產品中的應用也越來越廣泛,但是Linux中模擬U盤掛載到PC機中,與PC機上通用Windo
  • 關鍵字: 模擬  分析  FLASH  NAND  ARM11  Linux  基于  
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mlc nand介紹

  MLC NAND   目錄   1定義   2MLC芯片特點   3與SLC對比   1定義   MLC 全稱為Multi-Level Cell,多層單元閃存,MLC通過使用大量的電壓等級,每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)密度比較高。   一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3,000次 。這一點與SLC得100,000的擦除次數(shù)有不小的差異。   2MLC芯片特點   1、傳輸速率 [ 查看詳細 ]

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