mlc nand 文章 最新資訊
因應(yīng)中國市場需求 Intel大連廠轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND
- 半導體產(chǎn)業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國的大連市政府配合,將原先以65奈米制程生產(chǎn)處理器晶片的中國大連廠,轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的3D-NAND Flash 晶片,總投資金額高達55億美元,預計于明年下半年開始量產(chǎn)。 根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數(shù)據(jù),2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產(chǎn)值高達66.7億美元,占全球產(chǎn)值29.1%,明年更可望達到全球NAND Flash產(chǎn)量的三分之一,成長幅度十分驚人。 DRAMeXchan
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研調(diào):陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,由于中國大陸內(nèi)需市場胃納量龐大,在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續(xù)攀升,預估今(2015)年中國內(nèi)需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達120億與66.7億美元,分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,從DRAM需求觀察,近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領(lǐng)域出貨量不斷增長。其中,聯(lián)想(0992.HK)在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間,并穩(wěn)居
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本,提升系統(tǒng)安全性

- 全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前,高安全應(yīng)用的設(shè)計者一直使用帶有分區(qū)保護的NOR閃存存儲啟動代碼,并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機頂盒、POS機、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護特性的單一非易失性內(nèi)存,可幫助用戶降低系統(tǒng)成本,提高系統(tǒng)的安全性。 賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存,所有
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東芝財報風波長期恐將損及NAND事業(yè)
- 東芝(Toshiba)財報不實風波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門,但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問日本半導體界人士,卻表示長期終將損害快閃存儲器產(chǎn)品競爭力。 目前東芝半導體事業(yè)主力NAND存儲器產(chǎn)品,由于移動裝置需求持續(xù)成長,銷售量不斷增大,為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產(chǎn)品;但這項產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先,受企業(yè)財務(wù)狀況影響比其他半導體產(chǎn)品更大。 現(xiàn)在東芝碰上財務(wù)問題,對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響,雖說新社長室町正志出身半導體事業(yè),對這個
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FinFET/3D NAND前景亮 推升半導體設(shè)備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本,滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求,因此半導體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力,已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出,隨著先進制程發(fā)展,該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向,一是電晶體與導線技術(shù),另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示,從28奈米到20奈米,甚至發(fā)展至16/14奈
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出,2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同,營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash,也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊,智慧型手機、平板電
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出,2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同,營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash,也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊,智慧型手機、平板電
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全球新式存儲器大戰(zhàn) 臺控制芯片廠不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint,可取代既有DRAM和NAND Flash芯片,業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導入固態(tài)硬碟(SSD),臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃,成為首家控制芯片供應(yīng)商,2016年搶先導入SSD。不過,相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 存儲器業(yè)者表示,包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊,業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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