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5G手機(jī)中的低功耗內(nèi)存有多重要？

  • 今年我國(guó)迎來(lái)了5G手機(jī)爆發(fā)之年。相信很多消費(fèi)者也在考慮是否去換一部5G手機(jī)。但是他們也是有顧慮的：5G是什么？5G手機(jī)到底能干啥？另外，一些5G手機(jī)中出現(xiàn)了一個(gè)新名詞——LPDDR5內(nèi)存，是怎么回事？
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三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)

  • 實(shí)現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預(yù)計(jì)生產(chǎn)新一代VNAND與超精細(xì)制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)，下一步進(jìn)軍汽車電裝市場(chǎng) 韓國(guó)首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動(dòng)DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達(dá)12.89萬(wàn)平方米（
  • 關(guān)鍵字： EUV10  納米級(jí)  LPDDR5  DRAM  

三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

  • 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個(gè)新的門檻，克服了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)下DRAM擴(kuò)展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號(hào)線占地超過(guò)128900平方米，相當(dāng)于約16個(gè)足球場(chǎng)，是迄今為止全
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美光出樣業(yè)界首款搭載LPDDR5的uMCP封裝產(chǎn)品，為5G手機(jī)提供更強(qiáng)性能和電池續(xù)航

  • 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，開始出樣業(yè)界首款同時(shí)搭載低功耗 DDR5 (LPDDR5) DRAM 的通用閃存 (UFS) 多芯片封裝 (uMCP) 產(chǎn)品。這款 uMCP 產(chǎn)品為纖薄緊湊的中端智能手機(jī)設(shè)計(jì)提供了高密度、低功耗的存儲(chǔ)解決方案。美光的新款 uMCP5 封裝采用了公司在多芯片封裝方面的創(chuàng)新和前沿技術(shù)，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板載控制器，其與雙芯片解決方案相比，占用空間減少 40%。
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LPDDR5內(nèi)存韓美企業(yè)“三雄爭(zhēng)霸”，中國(guó)進(jìn)展如何？

  • 日前，三星、小米發(fā)布了各自最新的年度旗艦Galaxy S20和小米10系列。與以往有所不同，LPDDR5這一內(nèi)存竟成為兩款手機(jī)“吹爆”的賣點(diǎn)。其中，小米各高管在微博上密集對(duì)LPDDR5進(jìn)行營(yíng)銷和“科普”。而三星也早已開始預(yù)熱，并搶在小米10前一天“全球首發(fā)”LPDDR5。2月12日凌晨，三星在美國(guó)舊金山發(fā)布Galaxy S20系列時(shí)宣傳LPDDR5相對(duì)上一代際的LPDDR4x內(nèi)存，LPDDR5在速率、功耗和性能等方面著實(shí)有較大提升。鑒于此，LPDDR5曾被多家企業(yè)高管和媒體
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旗艦標(biāo)配 三星公布自家LPDDR5內(nèi)存

  • 這兩天，LPDRR5內(nèi)存絕對(duì)是手機(jī)圈的一個(gè)熱門詞匯，各家新品手機(jī)都爭(zhēng)先恐后的公布了自家的新機(jī)將采用這種新內(nèi)存，今天上午，三星方面也公布了相關(guān)信息。
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雷軍：小米10同時(shí)搭載三星和美光LPDDR5內(nèi)存

  • 日前，小米官方正式宣布小米10系列將首發(fā)LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，成為全球首款應(yīng)用LPDDR5的手機(jī)。隨后，雷軍又在微博透露，小米10將全線采用LPDDR5內(nèi)存，并由三星和美光同時(shí)提供支持。
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被“吹爆”的LPDDR5內(nèi)存，究竟有多強(qiáng)大？很多人都不了解！

  • 在最近的三星Galaxy S系列和小米10系列發(fā)布會(huì)上，都出現(xiàn)了LPDDR5內(nèi)存這個(gè)全新的硬件版本，這是LPDDR5內(nèi)存首次被商用，相信很多人都對(duì)它的性能十分感興趣，畢竟在這之前小米高管已經(jīng)對(duì)其進(jìn)行了大篇幅的宣傳。
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LPDDR5引領(lǐng)下一代5G手機(jī)及移動(dòng)的內(nèi)存潮流

  • LPDDR5 DRAM芯片可帶來(lái)更低的功耗和更快的數(shù)據(jù)讀取速度，非常適合正在涌現(xiàn)的5G手機(jī)等移動(dòng)應(yīng)用。例如不久前，美光宣布交付全球首款量產(chǎn)應(yīng)用于高端智能手機(jī)的LPDDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)，美光LP5與前代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度提升了50%，功耗則降低了20%以上。那么，手機(jī)內(nèi)存的發(fā)展趨勢(shì)如何？LP5適用于哪些場(chǎng)景？美光LP5的特點(diǎn)及工藝趨勢(shì)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體通過(guò)Skype電話會(huì)議訪問(wèn)了美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁Christopher Moore
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Intel第二代10nm Tiger Lake-U原型機(jī)曝光：首秀LPDDR5內(nèi)存

  • 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相，不過(guò)首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。在歐亞經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ECC)的認(rèn)證數(shù)據(jù)庫(kù)中，我們又一次看到了Tiger Lake-U原型機(jī)的身影，而且披露了一項(xiàng)重要的信息：搭配的內(nèi)存由LPDDR4X變成了全新的下一代LPDDR5！LPDDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)今年2月份剛剛公布，重新設(shè)計(jì)體系結(jié)構(gòu)，并繼續(xù)提速降功耗，具體來(lái)說(shuō)最高頻率從LPDDR4X 4266MHz猛增到了6400MHz，同時(shí)功耗降低多達(dá)30％，
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三星首發(fā)LPDDR5內(nèi)存芯片：6400Mbps、功耗降低30%

  • 　　三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)(10～20nm)工藝?！　?jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。　　其它基本規(guī)格還有，內(nèi)存速度(針腳帶寬)最高6400Mbps，是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星稱，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)(比如高端手機(jī)常見的64bit bus)，相當(dāng)于14部1080P電影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無(wú)壓力?！　∨c此同時(shí)，
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LPDDR5、UFS 3.0存儲(chǔ)介紹：我們何時(shí)能用上？

  • 　　相較于處理器芯片，存儲(chǔ)性能這些年在智能手機(jī)上的重要性也開始逐漸凸顯。據(jù)Android Authority總結(jié)，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲(chǔ)卡將會(huì)成為新一輪旗艦智能機(jī)將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點(diǎn)?！　【唧w來(lái)說(shuō)，LPDDR5的速度將達(dá)到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的，LPDDR5將引入WCK差分時(shí)鐘，類似于GDDR5，從而在不增加引腳的情況下提升頻率?！　〈送猓琇PDDR5還將引入
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DDR5/GDDR6/LPDDR5/HBM3都來(lái)了

  • 　　Hot Chip 2016大會(huì)上，內(nèi)存技術(shù)突然成了一大熱點(diǎn)，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標(biāo)準(zhǔn)相繼浮出水面，明后兩年陸續(xù)就能見到。 　　這份發(fā)展規(guī)劃主要來(lái)自存儲(chǔ)大廠三星，美光也提出了一些想法，而新規(guī)范自然主要以提高速度、擴(kuò)大容量、降低功耗為主。 　　   　　DDR5內(nèi)存的設(shè)想是單條容量最小8GB、最大32GB，帶寬最高6.4Gbps，兩倍于DDR4，而電壓和當(dāng)前的DDR4一樣維持在1.1V，這在歷史上倒是第一次。 　　美光計(jì)劃2019年量產(chǎn)DDR5，三星
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lpddr5介紹

LPDDR5 LPDDR5即Low Power Double Data Rate 5，第五代低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 2019年2月20日，JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 [ 查看詳細(xì) ]

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