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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅(qū)動器性能

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
關鍵字： IR 封裝

IR推出全新直流總線轉換器芯片組

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首個直流總線轉換器芯片組系列，重新定義用于電信及網(wǎng)絡系統(tǒng)的48V輸入、150W基板安裝功率轉換器的分布式電源架構。IR的直流總線轉換器芯片組架構為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準，能在小于1.7平方英寸電路占位上，于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業(yè)界標準的四分一磚設計相比，該芯片組能節(jié)省53%的體積，并可將隔離式轉換器的元件數(shù)目由約50個大幅縮減至20個。全新芯片組包含一個IR20
關鍵字： IR

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
關鍵字： IR

IR推出性能經(jīng)改良的電子繼電器

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富
關鍵字： IR 繼電器

IR公布2003財年第四季度業(yè)績

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 公布2003財年第四季度業(yè)績，季內(nèi)營業(yè)收益為2.284億美元，不包括早前公布有關遣散及重組活動的開支，模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元)，營業(yè)收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后，IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業(yè)收益在預定指標上端，比上季度增加超過6%，比去年同
關鍵字： IR

IR全新16A額定集成功率模塊簡化電機驅(qū)動器設計且節(jié)能

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A，全面簡化變速電子電機控制電路。最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機降低多達30%的能耗，并專為750W至1.2kW變速電機驅(qū)動應用而設計，如室內(nèi)空調(diào)系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機。新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列一部分，將一個三相逆變器功率平臺、柵驅(qū)動器和輔助電路結合在小巧的高性能絕緣型封裝
關鍵字： IR 模塊

IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅(qū)動器性能

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
關鍵字： IR 封裝

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關操作

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
關鍵字： IR

IR推出性能經(jīng)改善良的電子繼電器

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國
關鍵字： IR 繼電器

IR為交錯降壓直流-直流轉換器推出XPhase可擴展性多相架構

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構，適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路，可提供超出CPU電壓調(diào)節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案，適用于服務器和高端臺式電腦內(nèi)最先進的微處理器。IR XPhase架構有別于其它只能驅(qū)動有限相位的多相方案，它提供可擴展的多相設計，滿足先進CPU瞬息萬
關鍵字： IR

IR推出專攻高頻開關電源應用的經(jīng)濟型大功率150kHz IGBT

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國及香港銷售總監(jiān)
關鍵字： IR 模擬IC 電源

IR推出多用途80V MOSFET

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET，額定電壓達80V，可用作隔離式直流-直流轉換器中的原邊和付邊MOSFET，專攻網(wǎng)絡通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領域。作為原邊MOSFET時，IRF1312能用于高達60V最大輸入電壓，因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉換器應用中的半橋或全橋結構。與同類75V MOSFET相比，其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶，使設計更加堅固耐用。IR中國
關鍵字： IR

IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新MTP隔離式開關模塊系列，它們以氮化鋁陶瓷層進行絕緣，在結點與外殼間發(fā)揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性 (冷卻能力) 比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600V和1200V，它們把高速IGBT和優(yōu)化的二極管結合在同一封裝內(nèi)，有助節(jié)省空間和降低組裝成本，可取代分立式解決方案。新器件專為大電流工業(yè)電源而設計，適用于高頻弧焊機及不間斷電源 (UPS)。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富先生
關鍵字： IR 模塊

IR推出可替代機電式繼電器的300V MOSFET功率器件

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新產(chǎn)品IRF3000。它是一個300V、N溝道HEXFET功率MOSFET，用于取代多種電信及網(wǎng)絡應用中的機電式繼電器。新器件是一種固態(tài)半導體，無機械部分，故可提高整體系統(tǒng)可靠性，且體積比機電式繼電器低30%之多。IRF3000比機電式繼電器更具效率，導通電阻比機械繼電器低90%以上，最大限度地減低了傳導損耗。新器件的柵電荷極低，可最大程度減低開關損耗。IRF3000比繼電器更易驅(qū)動，有助簡化電路設計并降低整體
關鍵字： IR 繼電器

IR披露最高集成度智能功率模塊

國際整流器公司 (International Rectifier)披露首個iNTERO可編程隔離式智能功率模塊 (PI-IPM)，在單一封裝內(nèi)將功率平臺整合到嵌入式驅(qū)動器板上，納入一個可編程數(shù)字信號處理器。新器件型號為PIIPM50P12B004，額定值為1200V和50A，具備電流傳感、隔離、柵驅(qū)動器及功率平臺保護功能，可直接與電機驅(qū)動器主機及輸入平臺接口，方案內(nèi)設有基本應用指令集及開發(fā)工具，效率高、堅固耐用，噪音低。該模塊電流反饋環(huán)路頻寬5kHz，提供平直的安全操作區(qū)，融合了IGBT技術，采用EMP封
關鍵字： IR 模塊

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ir介紹

紅外線 IrDA 　　紅外線IrDA，簡稱IR，是一種無線通訊方式，可以進行無線數(shù)據(jù)的傳輸。自1974年發(fā)明以來，得到很普遍的應用，如紅外線鼠標，紅外線打印機，紅外線鍵盤等等。　　紅外線的特征：紅外傳輸是一種點對點的傳輸方式，無線，不能離的太遠，要對準方向，且中間不能有障礙物也就是不能穿墻而過，幾乎無法控制信息傳輸?shù)倪M度；IrDA已經(jīng)是一套標準，IR收/發(fā)的組件也是標準化產(chǎn)品。　　紅 [ 查看詳細 ]