dvd-ram 文章進(jìn)入dvd-ram技術(shù)社區(qū)

有獨(dú)立待機(jī)的DVD或機(jī)頂盒等電源電路

獨(dú)立待機(jī)的DVD或機(jī)頂盒等電源；采用THX202H作待機(jī)電源，THX201作主電源。待機(jī)時，POWER低電平，光耦U3飽和使U1.FB、U1.TC和U1.OB低電平，主電源關(guān)閉，但U1由R4提供電源電流，U1為保持狀態(tài)；主電源工作時，POWER高電平，由于R4...
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P-DVD Power 評估板線路圖

P-DVDPower評估板線路圖
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20W/36W峰值、高輸入電壓范圍的DVD及機(jī)頂盒電源電路

20W/36W峰值、高輸入電壓范圍的DVD及機(jī)頂盒電源電路
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DVD播放器電源電路

DVD播放器電源電路:7W(10W峰值),5V,1.7A,12V,0.1A及22V,15mA,85–265VAC輸入反激式電源電路
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由一個微型機(jī)片子兩個RAM和一個運(yùn)放組成的多用計算機(jī)系統(tǒng)

由一個微型機(jī)片子兩個RAM和一個運(yùn)放組成的多用計算機(jī)系統(tǒng)
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FPGA基礎(chǔ)知識及其工作原理

高端設(shè)計工具為少有甚是沒有硬件設(shè)計技術(shù)的工程師和科學(xué)家提供現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。無論你使用圖形化設(shè)計程序，ANSI C語言還是VHDL語言，如此復(fù)雜的合成工藝會不禁讓人去想FPGA真實(shí)的運(yùn)作情況。在這個芯片中的
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RAM和ROM傻傻分不清楚？教你認(rèn)清手機(jī)中的RAM和ROM

智能手機(jī)發(fā)展至今，一直以來人們對于手機(jī)存儲方面的叫法就非常凌亂，什么運(yùn)行內(nèi)存喇，內(nèi)存喇，存儲空間啦，RAM，ROM等等，不同的叫法把消費(fèi)者們繞的云里霧里，概念混淆不清。在這些叫法中，識別率最高的應(yīng)該就是RAM和ROM的叫法了，今天我們就來聊聊手機(jī)中的RAM和ROM。
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利用F-RAM打造汽車安全氣囊應(yīng)用

　　鐵電RAM(F-RAM)存儲器被用在一系列廣泛的應(yīng)用中，其中包括工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用和汽車系統(tǒng)等。未來幾年，汽車的安全系統(tǒng)將會變得更加復(fù)雜。推動該趨勢的一個主要動力是預(yù)期的監(jiān)管措施，它們將對汽車安全氣囊和穩(wěn)定控制系統(tǒng)的配售率和成熟度產(chǎn)生影響。本文探討在這些系統(tǒng)中使用F-RAM非易失性存儲技術(shù)的主要技術(shù)優(yōu)勢。　　“安全氣囊系統(tǒng)”正在發(fā)生兩大變化。首先，所有新型安全氣囊都配有一個智能傳感器，用于檢測車內(nèi)是否有乘客。安全氣囊的每一次誤彈出都會導(dǎo)致極高的更換成本
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串并口F-RAMW系列存儲器

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C
關(guān)鍵字： F-RAM 存儲器 Ramtron FM24W256

ARM Cortex―M0／M0+單片機(jī)的指針變量替換方法

ARM Cortex―M0／M0+單片機(jī)的指針變量替換方法, 摘要：32位ARM Cortex-M0/M0+內(nèi)核定位于“全面替代”各類8/16位微控制器(MCU)內(nèi)核，其硬件設(shè)計支持使用16位短指針變量。目前主流的ARM編譯器僅使用32位長指針變量，這對于資源有限的MCU來說十分浪費(fèi)。為
關(guān)鍵字：指針替換 Cortex―M0／M0+ Kinetis L25 μC／OS―II RAM

賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票交易代碼：CY)宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機(jī)存取存儲器((NVRAM)產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM(F-RAM™)和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)，可在斷電時為重要數(shù)據(jù)提供可靠保護(hù)。很多關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨(dú)特優(yōu)勢之外，還需要能夠?qū)崿F(xiàn)小巧、獨(dú)特封裝選項(xiàng)的裸片。有關(guān)賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合的更多信息，敬請訪問：http://www.cypress.com/nonvolatile。　　賽普
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麻省理工證實(shí)：大數(shù)據(jù)時代，閃存和RAM一樣快!

用在對的地方，才是好東西。
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ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別

　　ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。　　ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算　　機(jī)的內(nèi)存。　　RAM 　　有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了，但　　是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RA
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賽普拉斯推出業(yè)界首款4Mb 串行F-RAM

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，推出一系列4Mb串行鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM™)，這是業(yè)界容量最大的串行F-RAM。該款4Mb串行F-RAM擁有40-Mhz串行外設(shè)接口(SPI)，工作電壓范圍是2.0至3.6V，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝方式。賽普拉斯所有的F-RAM均可提供100萬億次的讀寫壽命，85?C溫度下的數(shù)據(jù)保存時間可達(dá)十年，65?C下則長達(dá)151年。　　對于需要連續(xù)頻繁高速數(shù)據(jù)讀寫，并要求保證數(shù)據(jù)的絕對安全性的應(yīng)用而言，賽普拉斯的F-RAM是理想選擇。這一4
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Vivado HLS推動協(xié)議處理系統(tǒng)蓬勃發(fā)展(上)

　　1 提高抽象層次　　Vivado HLS能提高系統(tǒng)設(shè)計的抽象層次，為設(shè)計人員帶來切實(shí)的幫助。Vivado HLS通過下面兩種方法提高抽象層次：　　● 使用C/C++作為編程語言，充分利用該語言中提供的高級結(jié)構(gòu); 　　● 提供更多數(shù)據(jù)原語，便于設(shè)計人員使用基礎(chǔ)硬件構(gòu)建塊(位向量、隊(duì)列等)。　　與使用RTL相比，這兩大特性有助于設(shè)計人員使用Vivado HLS更輕松地解決常見的協(xié)議系統(tǒng)設(shè)計難題。最終簡化系統(tǒng)匯編，簡化FIFO和存儲器訪問，實(shí)現(xiàn)控制流程的抽象。HLS的另一大優(yōu)勢是便于架構(gòu)研究和
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dvd-ram介紹

　　DVD-RAM的全稱為DVD- Random Access Memory（DVD隨機(jī)存儲器），是由在DVD標(biāo)準(zhǔn)爭奪戰(zhàn)中處于優(yōu)勢的三家公司聯(lián)合開發(fā)的，它們是松下、日立與東芝（簡稱MHT）。業(yè)界對其定義為Re-Writable DVD（可重寫式DVD）。　　DVD-RAM所使用的技術(shù)源于松下自己的PD（Phase-change Dual，雙相變）光盤技術(shù)。并結(jié)合了硬盤、MO（Magneto-O [ 查看詳細(xì) ]