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iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營收

  • 　　市場研究機構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲芯片價格上漲。 　　
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日本地震或使全球芯片銷售收入提高7%

  • 　　研究機構(gòu)IHSiSuppli表示，由于日本地震導(dǎo)致該國存儲芯片供應(yīng)減少之后推動價格走高，預(yù)計2011年全球半導(dǎo)體銷售收入將增長7%至3,250億美元。 　　
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分析稱日本地震可能提升全球半導(dǎo)體市場收入

  • 　　4月6日消息，據(jù)國外媒體報道，有分析機構(gòu)預(yù)測，日本地震可能提升全球半導(dǎo)體市場收入。 　　受到3月11日日本地震和海嘯的影響，芯片產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈遭到一定破壞，這導(dǎo)致了芯片價格的上漲，根據(jù)分析機構(gòu)IHSiSuppli的預(yù)測，并將可能影響全球半導(dǎo)體市場收入，可能使之環(huán)比去年上漲7%，而之前預(yù)測的數(shù)值是5.8%?！?/li>
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LPDDR2內(nèi)存統(tǒng)治移動內(nèi)存芯片

  • 　　據(jù)市場研究公司IHS iSuppli稱，由于智能手機和平板電腦目前配置的內(nèi)存芯片很快將證明不能充分地處理應(yīng)用程序，新型移動DRAM內(nèi)存芯片占整個移動內(nèi)存芯片市場的份額將增加。iSuppli稱，LPDDR2（低功率雙數(shù)據(jù)速率2）內(nèi)存現(xiàn)在正在成為移動DRAM內(nèi)存領(lǐng)域中占統(tǒng)治地位的技術(shù)。到第二季度末，LPDDR2移動內(nèi)存占移動內(nèi)存的市場份額將從第一季度的31%提高到40%?！?/li>
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OEM廠備貨 將拉高DRAM上旬合約價

  • 　　雖然日本強震導(dǎo)致半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈供貨不順，但是因各家計算機大廠手中仍有1-2個月庫存，所以4月及5月份計算機出貨仍沒有太大問題，由于英特爾修正版6系列芯片組已恢復(fù)正常供貨量，OEM廠已開始放大英特爾Sandy Bridge平臺出貨。 　　
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海力士看好存儲器價格反彈

  • 　　韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價問題。 　　
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海力士：DRAM市況可望進入恢復(fù)期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權(quán)五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。 　　
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平板電腦內(nèi)存容量將大幅增加

  • 　　根據(jù)IHS的研究報告，平板電腦DRAM上的平均容量將大幅增加147%，達到676MB。 　　IHS公司分析師邁克霍華德表示，由于平板電腦的應(yīng)用程序越來越復(fù)雜，今年其內(nèi)存的平均增長量將會是去年的2.5倍。這股趨勢會繼續(xù)下去，明年的平均容量預(yù)計將達到1.3GB ，而到2015年預(yù)計會達到3.7GB，與筆記本電腦所使用的DRAM的容量相當(dāng)。 　　
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分析顯示DRAM產(chǎn)業(yè)春燕將至

  • 　　美光執(zhí)行長Steve Appleton表示，看好3~5月的DRAM報價逐漸觸底反彈;再者，日前三星電子(Samsung Electronics)也開始調(diào)漲DRAM合約價，南亞科也認(rèn)為4月合約價將會續(xù)漲，市場彌漫春燕將至的氣氛。 　
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三星開始量產(chǎn)新型移動DRAM內(nèi)存芯片

  • 　　全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動DRAM內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片在更薄的封裝中增加內(nèi)存的密度。 　　
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日本震后　DRAM現(xiàn)貨價轉(zhuǎn)趨觀望

  • 　　日本地震后2天期間，曾出現(xiàn)上升走勢的DRAM現(xiàn)貨價格已轉(zhuǎn)趨觀望，由于日本半導(dǎo)體、LCD業(yè)者受損情況并不嚴(yán)重，依照恢復(fù)的情況，IT產(chǎn)業(yè)整體需求將會不同，因而市場上再度回到觀望的氣氛。 　　日前南韓各大廠紛紛預(yù)測DRAM價格將于2011年第1季觸底，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等與貿(mào)易商協(xié)商，可能會提高每個月進行2次調(diào)整的部分合約價格。 　　在地震后短暫出現(xiàn)升幅的DRAM現(xiàn)貨價格又再度來到持平局面。外電引述DRAMeXange調(diào)查指出，最近DRAM主要產(chǎn)品DD
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集邦：3月下旬DRAM合約價漲3%

  • 　　集邦科技旗下DRAMeXchange認(rèn)為，在日本強震打亂供應(yīng)鏈，且電腦制造商即將為歐美返校需求備料下，3月下旬DRAM芯片合約價漲幅逾3%，預(yù)期漲勢將延續(xù)至4月。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

日本地震矽晶圓對DRAM廠影響

  • 　　過去矽晶圓供給雖然偶有傳出吃緊聲浪，但從未像這次日本311強震把全球2大矽晶圓廠信越半導(dǎo)體和SUMCO都震出問題，甚至影響全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?！?/li>
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海力士開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

  • 　　全球第二大計算機內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱，它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。 　　海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。 　　
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分析稱DRAM內(nèi)存芯片下半年將供貨短缺

  • 　　投資公司Raymond James & Associates日前發(fā)布報告稱，DRAM內(nèi)存芯片市場將在下半年出現(xiàn)供貨短缺的局面。DRAM芯片市場近一段時間表現(xiàn)低迷，需求降低，價格也大幅下滑。 　　
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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