dram 文章 進(jìn)入dram技術(shù)社區(qū)
電子產(chǎn)品競爭中,日本已淪為陪跑
- 在過去20年間,日本在各類電子產(chǎn)品市場中的角色,相繼由一國獨(dú)大變成陪跑角色,例如動態(tài)存儲器(DRAM)芯片由1987的76%驟降至2004年的3%,汽車導(dǎo)航系統(tǒng)由2003年的100%跌至2007年的20%,太陽能板由2004年的45%減至2007的21%。2005年生產(chǎn)的iPod有七成零件來自日本,但5年后面世的iPad,零件卻只有兩成是日制。 報道說,韓日同樣在戰(zhàn)后經(jīng)歷過政府推動經(jīng)濟(jì)增長階段,但兩者在應(yīng)對上述問題時卻出現(xiàn)不同結(jié)果。1997年亞洲金融風(fēng)暴爆發(fā)后,韓國大力推動市場改革和信息科技普及,并鼓勵通
- 關(guān)鍵字: DRAM 導(dǎo)航 太陽能板
供應(yīng)吃緊 2013年第四季DRAM產(chǎn)值再創(chuàng)新高
- 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,2013年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士(Hynix)無錫廠大火影響而有略減,但因供貨吃緊反而造成平均銷售單價勁揚(yáng),因此當(dāng)季全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美元,較上一季成長近5%。同時,前兩大DRAM供應(yīng)商的獲利能力較上季皆有提升,其中獲利差異點(diǎn)取決于各DRAM廠標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的供給多寡。 TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示,就2013年第四季合約價格走勢做觀察,由于9月SK海力士受祝融波及而
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng),連創(chuàng)5季新高
- 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚(yáng),因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金,QoQ近5%。同時,前兩大DRAM供貨商的獲利能力較上季皆有提升,其中獲利差異點(diǎn)取決于各DRAM廠標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的供給多寡。 TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示,就4Q13合約價格走勢做觀察,由于九月SK海力士受祝融波及而影響當(dāng)下出貨,DRAM 4GB合約
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
SuVolta成功獲得1060萬美元風(fēng)險投資
- 2014年1月15日,致力于為低功耗、高性能的集成電路芯片開發(fā)可擴(kuò)展式半導(dǎo)體技術(shù)的SuVolta公司宣布其已獲得1060萬美元的資金。
- 關(guān)鍵字: SuVolta DRAM 物聯(lián)網(wǎng)
2013年全球半導(dǎo)體市場達(dá)3190億美元 成長4.9%
- 全球半導(dǎo)體市場在2012年衰退2.5%后,2013年恢復(fù)成長,年成長率達(dá)4.9%。2013年全球半導(dǎo)體市場營業(yè)額達(dá)3190億美元,較2012年的3029億美元成長4.9%,成長主要動力是由DRAM及NANDFlash帶動,DRAM及NAND在2013年的年成長率分別為35%及27.7%。 營業(yè)額前3甲連莊 2013年全球半導(dǎo)體公司營業(yè)額,英特爾(Intel)、三星(Samsung)及高通(Qualcomm)繼蟬聯(lián)前3名,2013年?duì)I業(yè)額合計(jì)977.6億美元,占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)額30.8%
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
美光科技第一財季凈利潤3.58億美元 同比扭虧
- 美國最大的存儲芯片制造商美光科技周二發(fā)布了該公司2014財年第一財季財報。財報顯示,受產(chǎn)品銷售改進(jìn)的推動,美光科技第一財季的業(yè)績超過了市場預(yù)期。 在截至11月28日的第一財季,美光科技營收為40.42億美元,高于上一季度的28.43億美元,高于上年同期的18.34億美元。美光科技第一財季運(yùn)營利潤為5.51億美元,上一財季的運(yùn)營利潤2.07億美元,上年同期的運(yùn)營虧損9700萬美元。美光科技第一財季凈利潤為3.58億美元,合每股攤薄收益0.30美元。美光科技上一季度凈利潤為17.08億美元,合每股攤
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三星推新DRAM芯片 手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存或?qū)⑸?GB
- 近日,三星宣布已經(jīng)制造出了業(yè)界首款8GbLPDDR4移動芯片,該芯片不僅將比目前市面上的同類產(chǎn)品運(yùn)行速度更快,而且體積更小能耗也更低。 該8GbLPDDR4芯片采用了20nm制程工藝,每塊芯片的內(nèi)存容量為1GB,這意味著2014年推出的智能手機(jī)如果能搭載四塊這樣的芯片話,那么將具有容量為4GB的RAM內(nèi)存。 三星電子內(nèi)存銷售及市場副總裁Young-HyunJun表示:“新一代LPDDR4DRAM將會在2014拉動全球移動DRAM市場的增長,并且很快將占據(jù)DRAM市場的大
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Hynix無錫DRAM廠傳明年1月完全復(fù)工
- 韓國記憶體廠SK Hynix無錫廠9月發(fā)生大火,令全球DRAM供應(yīng)吃緊、價格水漲船高,但分析師調(diào)查顯示,Hynix無錫廠可能明(2014)年1月便能完全復(fù)工,這對三個月來嘗了不少漲價甜頭的美光(Micron)恐怕不太有利。 據(jù)報導(dǎo),MKM Partners分析師Ada Menaker 11日發(fā)表研究報告指出,在與Hynix高層談話后,她認(rèn)為無錫廠到了明年1月中旬就能完全恢復(fù)產(chǎn)量與不錯的良率,估計(jì)每個月的矽晶圓供應(yīng)量將達(dá)12-13萬片、良率則會達(dá)到80%。 Menaker表示,無錫廠全面恢復(fù)
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半導(dǎo)體業(yè)10月報 高端需求不佳 bb值低于1
- 美國、臺灣、中國大陸電子行業(yè)指數(shù)9月跑贏大盤:9月費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲7.24%,道瓊斯指數(shù)上漲2.16%;臺灣電子零組件指數(shù)上漲2.4%,臺灣加權(quán)指數(shù)上漲1.89%;大陸CSRC電子行業(yè)指數(shù)上漲4.81%,滬深300指數(shù)上漲4.11%。 8月全球半導(dǎo)體銷售額再創(chuàng)新高:8月全球半導(dǎo)體市場銷售額258.7億美元,是自2013年以來的月度最高值,同比上漲6.4%,環(huán)比上漲1.3%。按地區(qū)來看,4大地區(qū)再次同時實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長,其中日本環(huán)比增幅最大,預(yù)示著下半年半導(dǎo)體銷售額將會持續(xù)增長。9月北美半導(dǎo)體設(shè)
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DRAM火災(zāi)后遺癥:海力士三星死杠搶芯片市場
- DRAM短缺,合約價格持續(xù)上揚(yáng),市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce指出,主流模組4GB10月價格較9月成長6.25%,預(yù)計(jì)在下旬合約價公布后,現(xiàn)貨與合約顆粒價格將更為貼近。而SK海力士火災(zāi)過后,韓商三星半導(dǎo)體藉擴(kuò)張產(chǎn)能欲奪回PC-DRAM市場主導(dǎo)地位,2家韓商已打起PC-DRAM市占率的爭奪保衛(wèi)戰(zhàn)。 市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,受到SK海力士火災(zāi)影響,供給面出現(xiàn)短缺使得合約價格持續(xù)上揚(yáng),主流模組4GB最高價格已經(jīng)站上34美元,與9月相較
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Q2全球DRAM市場營運(yùn)利潤率27%創(chuàng)三年新高
- 根據(jù)市調(diào)公司IHS表示,動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場近來歷經(jīng)快速成長,寫下近三年來的利潤率新高記錄。全球DRAM的營運(yùn)利潤率從今年第一季的11%大幅成長,最近在第二季已經(jīng)達(dá)到27%了──這也是自2010年以來的最高水準(zhǔn)。事實(shí)上,IHS強(qiáng)調(diào)營業(yè)利潤率已經(jīng)持續(xù)六個月的穩(wěn)步成長了。 IHS指出,多年來PC一直是DRAM的主要應(yīng)用,隨著近來PC市場下滑,2012年時首度出現(xiàn)PC在DRAM應(yīng)用的比重不到50%的窘境。在后PC時代,許多裝置──特別是行動裝置──每單位用量更少,使得整個DRAM市場
- 關(guān)鍵字: DRAM PC
全球DRAM營利率11% 創(chuàng)3年新高
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS17日發(fā)布報告指出,拜高平均售價(ASP)之賜,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營業(yè)利益創(chuàng)近三年新高,自第一季的11%倍增至27%,僅次于2010年第三季的33%。 在連6季衰退之后,且面對PC市場持續(xù)萎靡的狀況下,DRAM獲利表現(xiàn)連續(xù)2季攀升,期間DRAM產(chǎn)品平均單價第一季漲4%,而第二季更是跳增12%。IHS看好DRAM這股逆轉(zhuǎn)氣勢將可一直持續(xù)至2013年底。 當(dāng)季表現(xiàn)最亮眼當(dāng)屬南韓的SK海力士,該公司營利率達(dá)33%,而居次的爾必達(dá)(Elpida)也有32%,兩者都優(yōu)于DR
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dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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