標簽：LED 照明 光源Diodes 公司的AL9910/A是PWM高效高壓高亮LED驅動器控制集成電路.源電壓從85VAC到256VAC,輸入電壓高達500V. AL9910能以固定頻率高達300kHz驅動外接MOSFET,輸出電流從幾毫安到大于1.0A,效率高于90%
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Diodes 13W LED
Diodes 公司推出全球體積最小的可編程、全極性霍爾效應開關。這款AH1892器件適用于受空間限制的便攜式及電池驅動產品，包括平板電腦、智能手機和攝像機，特別適合接近效應與位置檢測的需要。AH1892是一款微功率器件，采用微型的四引腳0.7 x 0.7 x 0.5毫米U-WLB0707-4封裝，體積比一般三引腳TSOT封裝產品小十七倍。
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Diodes AH1892 霍爾效應
Diodes公司推出新型的低功耗高頻頭(Low Noise Block，簡稱LNB)電源管理及控制集成電路系列，適用于機頂盒、內置衛(wèi)星調頻器的電視，以及計算機衛(wèi)星調諧器卡等不同產品。全新ZLPM8000系列以提升產品效率和可靠性為設計原則，務求為制造商帶來所需的靈活性，迎合全球衛(wèi)星電視標準的要求。
三款率先面世的單輸出器件包括：高電流ZLPM8010(750mA)及低電流 ZLPM8011(450mA)，兩者均功能完備，支持DiSEqC 1與DiSEqC 2標準;而低電流ZLPM8012(450
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Diodes 電源管理
Diodes公司推出AP9060過壓鉗位器，用以保護便攜式應用中的電源管理集成電路 (PMIC)。該產品采用1.1 x 1.4 x 0.8毫米的小型 W-DFN1114-3封裝，適用于最新一代的電池供電產品，包括智能手機、平板電腦及超迷你筆記本電腦。
該新器件能支持很寬的3V至30V的充電器輸出電壓，把通至PMIC的電壓限制在安全的11V鉗位電壓之內。AP9060通過反饋回路控制一個MOSFET開關，有效地維持鉗位電壓水平。該器件使用超低的偏置電流，將自身發(fā)熱量降至最低，從而提升產品的可靠性。
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Diodes 電源管理
Diodes Incorporated 推出新型DRDC3105綜合繼電器驅動器 (Integrated Relay Driver) ，通過把一個完整的固態(tài)繼電器驅動器整合于單一的表面貼面封裝，可以盡可能地減少印刷電路板的占板面積、削減組件數量，并改善電感性負載控制電路的可靠性。
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Diodes 繼電器 DRDC3105
Diodes公司推出AL5801線性發(fā)光二極管(LED)驅動器，僅需兩個外加組件，就可以為設計人員簡化汽車內部、指示牌及一般照明控制電路。這款占位小、采用SOT26封裝的器件，把一個100V額定N通道MOSFET集成于一個經過預先偏置的NPN晶體管，能驅動由多達三十個20mA至350mA低功率串聯(lián)LED組成的鏈路。
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Diodes 二極管 LED
Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開關二極管，有助大幅降低器件數量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝，以供顧客選擇。
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Diodes 二極管
Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開關二極管，有助大幅降低器件數量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝，以供顧客選擇。
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Diodes 二極管
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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Diodes 控制器 MOSFET
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
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Diodes MOSFET 控制器
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
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Diodes MOSFET ZXGD3104N8
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現更低溫度運行。
這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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Diodes MOSFET
Diodes公司推出AP2331單信道限流負載開關。該產品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標準及其它監(jiān)視器接口的保護功能而優(yōu)化設計，適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負載和可能受短路影響的應用。
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Diodes 負載開關 AP2331
Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產品設計要求，如智能手機及平板計算機等。
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Diodes MOSFET DMP1245UFCL
Diodes推出SBR12U45LH超級勢壘整流器 (SBR) ，額定電流為12A，以超薄型PowerDI-5SP封裝，為生產新一代太陽能光電模塊 (PV module) 的太陽能電池板制造商，解除設計和生產方面的主要顧慮 。
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Diodes 太陽能電池板
diodes介紹
二極管（同見雙極晶體管，半導體，晶體管）
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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