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承受業(yè)界強(qiáng)度的模擬器件
- 承受業(yè)界強(qiáng)度的模擬器件幾十年的工藝開發(fā)大多著眼于提高邏輯電路的密度與速度。最小門尺寸已經(jīng)從微米級縮小到100nm以下。然而,我們周圍的世界并沒有同步縮小,所以,對許多應(yīng)用來說,信號、噪聲和非周期事件仍與過去一樣大或者更大。作為I/O設(shè)計師該怎么辦? 要點(diǎn) 高電壓模擬工藝的改進(jìn)能實(shí)現(xiàn)更高的集成度和模擬電路與數(shù)字電路的更有效混合?! ‰S著亞微米高電壓工藝進(jìn)一步確立自己的地位,芯片制造商和 OEM 設(shè)計者將需要重新考慮功能分割的方法?! ‰S著工作電壓和信號電壓的提高,考慮保護(hù)電路以應(yīng)對異常情況和故障情況這一
- 關(guān)鍵字: Analog Devices
RF MICRO DEVICES為新型AT&T無線終端提供解決方案
- 日前,無線通信應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先專用射頻集成電路(RFIC)供應(yīng)商RF Micro Devices, Inc.公司(Nasdaq 股市代號: RFMD)宣布,該公司正在批量發(fā)運(yùn)用于 AT&T Wireless 最近宣布推出的 Ogo™ 無線終端的 POLARIS™ TOTAL RADIO™ 解決方案。POLARIS 解決方案由 RFMD 的 GSM/GPRS POLARIS 收發(fā)器和該公司業(yè)界領(lǐng)先的 PowerStar® 功率放大器 (PA) 模塊組成。
- 關(guān)鍵字: RF Micro Devices Inc. RF IF
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