cmos-ldo 文章進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)

基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號(hào)會(huì)通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過
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NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場(chǎng)？

　　美國記憶體技術(shù)開發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場(chǎng)上的儲(chǔ)存級(jí)記憶體。　　Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時(shí)表示，NRAM是以碳奈
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CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)

　　隨著智能手機(jī)的興起，對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視，近年來廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。　　電容式微麥克風(fēng)原理　　
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號(hào)會(huì)通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過
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穩(wěn)壓器工作原理

　　導(dǎo)讀：穩(wěn)壓器，顧名思義，就是穩(wěn)定電壓的器件，下面我們就一起學(xué)習(xí)一下穩(wěn)壓器的工作原理吧～～～ 1.穩(wěn)壓器工作原理--簡介　　穩(wěn)壓器是使輸出電壓穩(wěn)定的設(shè)備。穩(wěn)壓器是一種能自動(dòng)調(diào)整輸出電壓的供電電路或供電設(shè)備，其作用是將波動(dòng)較大和不合用電器設(shè)備要求的電源電壓穩(wěn)定在它的設(shè)定值范圍內(nèi)，使各種電路或電器設(shè)備能在額定工作電壓下正常工作。所以使用穩(wěn)壓器，對(duì)用電設(shè)備特別是對(duì)電壓要求嚴(yán)格的高新科技和精密設(shè)備來說是必不可少的。 2.穩(wěn)壓器工作原理--結(jié)構(gòu) 　　穩(wěn)壓器主要有調(diào)整電路、取樣電路、取樣放大以及基準(zhǔn)電
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如何挑選一個(gè)高速ADC

　　高速ADC的性能特性對(duì)整個(gè)信號(hào)處理鏈路的設(shè)計(jì)影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在考慮ADC對(duì)基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對(duì)射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間，評(píng)價(jià)和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師身上，而系統(tǒng)設(shè)計(jì)師并不都是ADC專家。　　還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計(jì)樣機(jī)將要完成時(shí)才能知道所有系統(tǒng)級(jí)結(jié)果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。　　影響很多無線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號(hào)電平時(shí)的失真度。大多數(shù)無線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號(hào)
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10納米碳納米管CMOS器件面世

　　近日，在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展專項(xiàng)支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。　　下一步，該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺(tái)，并基于該平臺(tái)開發(fā)碳納米管CPU，最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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分析：傳感器的危與機(jī)

人有五官，用來辨別和感受外界環(huán)境的變化，而傳感器是電子行業(yè)的五官，什么是傳感器？傳感器關(guān)鍵廠商專利布局重點(diǎn)有那些？技術(shù)要項(xiàng)又有那些？　
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詳解TTL和CMOS電平

　　“TTL電平”最常用于有關(guān)電專業(yè)，如：電路、數(shù)字電路、微機(jī)原理與接口技術(shù)、單片機(jī)等課程中都有所涉及。在數(shù)字電路中只有兩種電平(高和低)高電平+5V、低電平0V.同樣運(yùn)用比較廣泛的還有CMOS電平、232電平、485電平等。　　TTL電路　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。　　1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol 　　Uoh≥2.4V，Uol&le
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AT89S52的機(jī)載電氣盒測(cè)試儀的設(shè)計(jì)

　　1 引言　　AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲(chǔ)器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 8k字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM，32
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基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全

　　AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲(chǔ)器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機(jī)。本文為您介紹基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全，僅供參考。　　基于AT89C51的操控鍵盤的設(shè)計(jì) 　　本文以PC機(jī)通用鍵盤為例，闡述研制小型一體化專用鍵盤的方法。采用小型一體化專用鍵盤不但可完成按鍵的功能，而且要求根據(jù)儀器外形進(jìn)行一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品
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LDO是什么

　　導(dǎo)讀：本文主要介紹的是LDO是什么，其實(shí)它就是低壓差線性穩(wěn)壓器，作用就是穩(wěn)壓嘍，下面就讓小編為大家具體介紹一下吧。 1.LDO是什么--簡介　　LDO是low dropout regulator的簡稱，是指低壓差線性穩(wěn)壓器，是相對(duì)于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說的。LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器，它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點(diǎn)在于，LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)。LDO低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)主要包括啟動(dòng)電路、恒流源偏置單元、使能電路、調(diào)整元件、基準(zhǔn)源、誤差放大器、反饋電阻網(wǎng)絡(luò)和保護(hù)電路等。 2.LD
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高耗電移動(dòng)設(shè)備的發(fā)展

　　1 用作前置穩(wěn)壓器的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器　　降壓-升壓轉(zhuǎn)換器可在提高系統(tǒng)整體效率和延長電池續(xù)航時(shí)間方面發(fā)揮重要作用。例如，它們?cè)谟米鱌MIC低壓差穩(wěn)壓器(LDO)的前置穩(wěn)壓器方面就十分成功。移動(dòng)系統(tǒng)PMIC可使用多達(dá)30個(gè)專用于子系統(tǒng)(如藍(lán)牙、SD內(nèi)存和RF收發(fā)器)的LDO，其輸出電壓范圍為1.2V - 3.3V。通常用于這些系統(tǒng)的鋰離子電池可具有從4.35V到低至2.5V(在動(dòng)態(tài)線路和負(fù)載瞬變情況下)的電壓范圍，盡管電池電壓大多數(shù)時(shí)間維持在3.7V。　　問題是，大LDO壓差會(huì)造成過量效率損失，且
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elmos慕尼黑電子展：秀我不同

　　說起Elmos，也許我們更了解它的競爭者英飛凌(Infineon)、美信半導(dǎo)體(Maxim)，因?yàn)橄啾戎拢珽lmos進(jìn)入中國的時(shí)間并不長。但是，我們卻早已開始使用Elmos的產(chǎn)品了：Elmos的超聲波、被動(dòng)紅外以及馬達(dá)控制器芯片在全球的出貨量很大，僅超聲波倒車?yán)走_(dá)芯片全球出貨量就高達(dá)5000萬片。此次慕尼黑展商，Elmos展示的主要產(chǎn)品是停泊車系統(tǒng)傳感器和馬達(dá)控制器。Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke　　Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke介紹了此次展示的重點(diǎn)產(chǎn)品與應(yīng)用
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索尼重組看到曙光：股價(jià)昨日創(chuàng)六年新高

　　社長平井一夫?qū)τ谌毡舅髂岬摹耙粋€(gè)索尼”改造，以失敗告終。不過，在一個(gè)強(qiáng)勢(shì)人物吉田憲一郎(現(xiàn)任CFO)的加盟之下，索尼的重組，正在取得進(jìn)展，并看到曙光。周三，索尼股價(jià)在盤中，創(chuàng)出了六年新高。　　根據(jù)日經(jīng)新聞的報(bào)道，周三索尼在盤中的股價(jià)一度達(dá)到3787.5日元(相當(dāng)于31.4美元)，這是過去六年零七個(gè)月中的最高紀(jì)錄。　　索尼最大的兩個(gè)業(yè)務(wù)包袱是電視機(jī)和智能手機(jī)。這兩個(gè)“困難戶”的重振，尚未傳出重大捷報(bào)。據(jù)媒體分析，索尼股價(jià)的利好，主要來自索尼目前在全
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