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構(gòu)成廉價電感測量儀的單個IC

本設計實例顯示了如何構(gòu)建一個可靠的低成本的簡單電感測量儀。電感測量儀的基礎(chǔ)是一個皮爾斯（Pierce）CMOS...
關(guān)鍵字：電感測量儀單個IC CMOS

全局快門像素技術(shù)和CMOS圖像傳感器形成強大的技術(shù)組合

傳統(tǒng)上，全局快門像素技術(shù)主要用于CCD圖像傳感器。由于CMOS圖像傳感器的不斷普及，且由于機器視覺、電影制作、工業(yè)、汽車和掃描應用要求必須以高圖像品質(zhì)捕捉快速移動的物體，圖像傳感器供應商Aptina公司已經(jīng)致力于克
關(guān)鍵字：技術(shù) 形成強大組合傳感器 CMOS 快門像素全局圖像

寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS－DSP解析

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關(guān)鍵字： DSP CCD CMOS+DPS

CMOS模擬開關(guān)的選擇與典型應用

一、前言：早期的模擬開關(guān)大多工作于plusmn;20V 的電源電壓，導通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號與數(shù)字控制的接口，近幾年，集成模擬開關(guān)的性能有了很大的提高，它們可工作在非常低的電源電壓，具有較低的導通電
關(guān)鍵字： CMOS 模擬開關(guān) 典型

控制之道-外部機制為CMOS LDO器件提供限流保護

功率半導體開發(fā)越來越趨向在器件支持的功能集中增添新的功能，從而提升電路設計靈活性。低壓降(LDO)穩(wěn)壓器的...
關(guān)鍵字： CMOS LDO 限流

用于CMOS圖像傳感器的流水線ADC設計及其成像驗證

摘要：在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個重要的研究和設計方向，設計了...
關(guān)鍵字：流水線ADC CMOS 圖像傳感器 Labview

基于單片機CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器

基于單片機CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國際衡量汽車先進水平的重要標準，也正是由于這個原因推動和刺激當前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展，各國都競相發(fā)展，不斷應用高新技術(shù)，提高汽車電氣化性能
關(guān)鍵字： CMOS 單片機汽車電子調(diào)節(jié)器

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結(jié)構(gòu)設計（二）

3 仿真分析及具體設計結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設計中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設計為100ns-1000ns之間，而
關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米電路

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結(jié)構(gòu)設計

1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結(jié)構(gòu)的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進一步發(fā)展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米電路

用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設計及其成像驗證

摘要：在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個重要的研究和設計方向，設計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標準CMOS工藝進行
關(guān)鍵字： ADC 設計及其驗證流水線傳感器噪聲 CMOS 圖像用于

數(shù)碼相機的CMOS傳感器知識介紹

標簽：數(shù)碼相機 CMOS數(shù)碼相機的另一個靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號為EOS D30的專業(yè)級數(shù)碼相機后，人們對CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因為，CMOS影像傳感器過去有著信噪比小、分辨率
關(guān)鍵字：介紹知識傳感器 CMOS 數(shù)碼相機

CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標

CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個主要類別，都有各自的應用領(lǐng)域。但近年來，CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢？評價一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標有哪些？下面來為大家詳細說明。CCD和CMOS圖
關(guān)鍵字：性能技術(shù)指標傳感器圖像 CMOS CCD

淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

標簽：CMOS CCD無論任何產(chǎn)品，品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系，CCD和CMOS也既如此。基本組成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
關(guān)鍵字：原理差異結(jié)構(gòu) 內(nèi)部 CMOS CCD 淺析

基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設計

本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設計進行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸齒波
關(guān)鍵字： CMOS 1.0 工藝鋸齒波

采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設計

O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進一次新的制造技術(shù)會導致漏電流
關(guān)鍵字： CMOS 單相乘法器能量回收

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路制造工藝，它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導通，要么NMOS導通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計算機領(lǐng)域，CMOS常指保存計算機基本啟動信息(如日 [ 查看詳細 ]