- BUCK電路拓撲T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),當時,T導通。
D:續(xù)流二極管。
L和C組成LPF。二、工作原理四、假設及參數(shù)計算
1.T,D均為理想器件
2.L較大,使得在一個周期內電流連續(xù)且無內阻
3.直流輸出電壓
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拓撲 電路 BUCK
- 主電路:Tr:電流互感器
控制電路:M:乘法器;VA:電壓誤差放大器(K1); CA:電流誤差放
大器(K2)
工作原理:VA的輸出:VA=K1(Vr-Vo);整流電壓:Vdc=kVin sint;輸入電流的基準信號:M=VA,Vdc=K1k
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原理 控制 電路 PFC Boost
- PCI總線目標接口芯片PCI9052及其應用,摘要:PCI9052是PLX公司繼PCI9050之后新推出的一種低成本的PCI總線目標接口芯片,它傳輸速率高,數(shù)據(jù)吞吐量大,可避免用戶直接面對復雜的PCI總線協(xié)議。文中主要介紹了PLX公司的PCI總線目標接口芯片的功能與應用,并給出了
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PCI9052 及其 應用 芯片 接口 總線 目標 PCI
- 據(jù)《自然》雜志報道,IBM的科學家當日宣布,他們用微型硅電路取代銅線實現(xiàn)了芯片間通訊,在通過光脈沖而不是電子信號進行芯片通訊上取得重大突破。
這種設備被稱為‘納米光子雪崩光電探測器’(nanophotonic avalanche photodetector),是同類產品中速度最快的一個,并且顯著降低了能耗,將對未來電子行業(yè)發(fā)展產生重大影響。
IBM的設備利用了當前芯片生產中使用的鍺元素的雪崩效應。與陡峭山體的雪崩一樣,最初出現(xiàn)的光脈沖只釋放了一小部分電荷載體,隨后這
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IBM 芯片 通訊
- 國內芯片方案廠商福州瑞芯微剛剛推出了RK2808芯片方案,這是一款可以用于手機、MID、電子書等設備的芯片。這款芯片率先開始支持Android系統(tǒng),采用65納米制程構建,其最大的賣點是支持Android系統(tǒng)下的720p視頻回放,在Android方案播放HD較弱的背景下,這也是目前這方面最 強的芯片方案。另外,從官網的介紹還看到支持WinCE平臺。
該方案特點如下:
* 65納米工藝
* ARM+DSP 雙核結構,ARM 600M,DSP 550M
*
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瑞芯微 芯片 RK2808 Android
- SA60 和LMD18245 分別是美國Apex 公司和NS 公司推出的面向中小型直流電機的全橋功率輸出電路。它們既具有在外接少量元件的情況下實現(xiàn)電機的功率驅動、控制以及提供保護等功能的共性,又具有各自特色。下面就其引腳、功
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及其 應用 芯片 驅動 電機 功率 直流
- 基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1 引言
隨著電力電子技術的發(fā)展,各種新型的驅動芯片層出不窮,為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路,外圍電路大大減少,使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔,.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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芯片 功能 應用 驅動 MOSFET UCC27321 高速 基于
- 1 AD5933芯片概述
1.1 主要性能
AD5933是一款高精度的阻抗測量芯片,內部集成了帶有12位,采樣率高達1MSPS的AD轉換器的頻率發(fā)生器。這個頻率發(fā)生器可以產生特定的頻率來激勵外部電阻,電阻上得到的響應信號被ADC
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5933 AD 阻抗測量 芯片
- 據(jù)國外媒體報道,飛思卡爾半導體向美國國際貿易委員會(USITC)投訴,稱日本松下公司和液晶電視制造商Funai電子在電視機和媒體播放器等產品中,侵犯了其芯片專利權。
投訴中稱,松下、Funai和JVC Kenwood等公司,以及百思買、沃爾瑪?shù)攘闶凵痰昵址噶孙w思卡爾的知識產權。在國際貿易委員會的網站上可以找到關于本次投訴的公告,但目前還無法獲得投訴的全文拷貝。
總部設在德州奧斯丁的飛思卡爾公司的發(fā)言人Robert Hatley表示松下、Funai和JVC Kenwood銷售了侵犯飛思卡爾專
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飛思卡爾 芯片
- 近年,LED技術在照明等領域廣泛應用,LED產業(yè)也在中國快速走熱,但很多企業(yè)在技術上缺乏競爭力,預期利潤不高,大量的資本進入這個市場勢必造成利潤攤薄,引起無序競爭,行業(yè)洗牌或在今年。
多位業(yè)內專家也表示,LED產業(yè)已現(xiàn)過熱苗頭,需警惕產能過剩問題;另外國外巨頭的強勢進入,國內廠商在新一輪競爭中應加快技術開發(fā)和專利保護。
或透支未來3~5年產能
2月2日,國家首批新型工業(yè)化產業(yè)示范基地授牌,其中光電產業(yè)基地占據(jù)3席,LED產業(yè)成為國家發(fā)展的重點產業(yè)。與此同時,LED初始投資1億元就可建
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LED MOCVD 芯片
- 據(jù)臺積電公司負責開發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露,他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品,并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業(yè)論壇會議上透露這些信息的。
會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節(jié),據(jù)他表示,臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品,基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
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臺積電 40nm 芯片
- 市場研究公司IC Insights預計,今年半導體產業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預計增長67%,而產業(yè)整體支出增長額預計為51%。
“如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而,盡管許多公司計劃在今年將產能翻倍,但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應短缺的局面發(fā)生,尤其是下半年。
大
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Samsung DRAM 芯片 半導體
- 據(jù)國外媒體報道,英特爾本周證實,由于客戶需求匱乏,與臺積電的合作將暫時擱淺。這意味著雙方短期內不會推出聯(lián)合開發(fā)的凌動芯片。
英特爾凌動芯片業(yè)務掌門羅伯特·克魯科(Robert Crooke)在接受采訪時說,“我認為我們從與臺積電的合作中獲得了許多重要經驗。我們并沒有放棄,這類合作不會很快見到成效。”
英特爾約1年前宣布,該公司將與臺積電合作,生產客戶定制的凌動芯片。這一交易被認為是英特爾對定制ARM架構芯片日趨普及作出的回應。英特爾與臺積電的合作將允許
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英特爾 凌動 芯片
- 首季以來,由于大陸提前拉貨,芯片市場供應吃緊頻傳,上游晶圓代工與下游封測一路喊缺,不過重覆下單的疑慮在年后顯然仍未消散,半導體業(yè)界人士指出,由于各家IC設計業(yè)者急著搶產能,隨著第3到第4季需求逐漸走弱,已讓晶圓代工廠對于下半年浮現(xiàn)疑慮。
由于景氣回溫較市場想象來的迅速,加上大陸需求暢旺,讓第1季呈現(xiàn)淡季不淡情況,甚至旺到讓整個產業(yè)鏈供應吃緊,對業(yè)者來說都不敢過于樂觀,依照過去幾年的景氣循環(huán),在訂單涌現(xiàn)后,就意味著未來恐怕會出現(xiàn)訂單減少的問題。業(yè)界人士表示,由于首季以來,晶圓代工產能吃緊,要1,0
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IC設計 晶圓代工 芯片
boost(buck)芯片介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條boost(buck)芯片!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對boost(buck)芯片的理解,并與今后在此搜索boost(buck)芯片的朋友們分享。
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