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arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 最新資訊

美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

  • 　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 　　完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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傳英特爾今年發(fā)布600GB 25nm SSD

  • 　　Fudzilla消息，英特爾今年將有SSD方面的大計劃，預(yù)計在今年第四季度，公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產(chǎn)品。 　　這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技術(shù)，容量包括160、300和600GB，屬于第二代X25-M產(chǎn)品序列，包含1.8和2.5英寸版本。 　　其中1.8英寸版本最大容量300GB，將成為供應(yīng)家庭娛樂和消費電子的主推產(chǎn)品。
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基于MPC8349控制計算機的U－Boot移植

  • 本文詳細(xì)介紹了向MPC8349 控制計算機移植U-Boot 的方案。隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展，U-Boot 作為嵌入式操作系統(tǒng)的引導(dǎo)程序的作用變得越來越主要。在這種情況下，研究基于MPC8349 控制計算機的U-Boot 的移植就更加的重要。研究結(jié)果表明：移植到MPC8349 控制計算機上的U-Boot 能高效、安全、穩(wěn)定的運行。
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海力士：一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

  • 　　以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 　　然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。 　　該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 　　海力士半導(dǎo)體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作

  • 　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。 　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導(dǎo)體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴(yán)重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應(yīng)于2
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三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存

  • 　　據(jù)外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 　　20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。 　　三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。 　　三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。 　　此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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嵌入式系統(tǒng) Boot Loader 技術(shù)內(nèi)幕(3)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： Boot  loader  串口  

嵌入式系統(tǒng) Boot Loader 技術(shù)內(nèi)幕(2)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)核  Boot  loader  

嵌入式系統(tǒng) Boot Loader 技術(shù)內(nèi)幕(1)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式  Boot  loader  

Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

  • Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  實現(xiàn)  DSP  管理  Flash  存儲  Nand  

三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍

  • 　　據(jù)國外媒體報道，三星電子今天發(fā)布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價格上漲，該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。 　　利潤增長 　　三星的初步財報顯示，該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動區(qū)間為2000億韓元，去年同期調(diào)整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查，15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預(yù)期為4.27萬億韓元。 　　外界預(yù)計，受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響，三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
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分析師認(rèn)為全球芯片市場仍有支撐點

  • 　　按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著2009年未的迅速地復(fù)蘇, 進入2010年時全球半導(dǎo)體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長。 　　按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長大於75%。在相同的期間美國費城半導(dǎo)體指數(shù)也增長相近的量。 　　當(dāng)大部分工業(yè)分析師都認(rèn)為今年半導(dǎo)體市場有20%的增長時,Benchmark分析師相信今年非 　　常可能有22%-24%的增長。 　　其中某些芯片的庫存包括存儲器，部分模擬電路
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嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

  • 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應(yīng)用在程
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用  原理  Nand-Flash  系統(tǒng)  嵌入式  

基于單相Boot型 AC/AC交流變換器的分析與實現(xiàn)

  • 單相Boost型AC/AC交流變換器可看成正反兩個Boost型DC/DC直流變換器的組合，通過對輸入電壓的極性判斷，并結(jié)合輸出電壓誤差放大信號與三角載波的比較結(jié)果，可確定各開關(guān)管的工作狀態(tài)。該變換器具有結(jié)構(gòu)簡單、控制容易等優(yōu)點。仿真和試驗結(jié)果驗證了理論分析的正確性及控制策略的可行性。
  • 關(guān)鍵字： 變換器  分析  實現(xiàn)  交流  AC/AC  單相  Boot  基于  交換  

09年全球前十大NAND供應(yīng)商排行榜出爐

  • 　　市場研究機構(gòu)Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領(lǐng)先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。 　　在其它市場研究機構(gòu)的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因為在某些情況下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報告中列出了17家閃存制造商的出貨成績，東芝與
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  NAND  
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