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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)?！爸袊尽豹?jiǎng)項(xiàng)是目前國內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報(bào)名，基本涵蓋國內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計(jì)將于下月送樣檢測(cè)，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
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停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器大廠東芝存儲(chǔ)器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營運(yùn)中斷，盡管東芝存儲(chǔ)器尚未對(duì)外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時(shí)程出貨。
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數(shù)據(jù)存儲(chǔ)很重要，這塊把錢省不掉？

多日后，當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時(shí)候，我才知道，原來我倆在項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)存儲(chǔ) EEPROM Flash

2019年全球Flash支出達(dá)260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

盡管隨著主要存儲(chǔ)器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑，但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。　
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美光行使認(rèn)購期權(quán)，收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

　　美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購期權(quán)，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向?！　　笆召?IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計(jì)劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?！蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術(shù)型人才隊(duì)伍，以推動(dòng) 3D Xpo
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真正的汽車0級(jí)EEPROM支持下一代汽車特性

對(duì)于可擦除的、非易失性的存儲(chǔ)，業(yè)界已經(jīng)在兩項(xiàng)技術(shù)上進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化：Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過時(shí)的方案，但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢(shì)，例如當(dāng)數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時(shí)，EEPROM將是首選，因此十分適用于汽車電子等領(lǐng)域。
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H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash

H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)知多少？

數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了D
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫
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詳解嵌入式中參數(shù)存儲(chǔ)的一種方式

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫
關(guān)鍵字：工控 FlaSh 嵌入式

對(duì)STM32的flash進(jìn)行操作的一些要點(diǎn)

說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLAS
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ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失

　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器，為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。　　　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲(chǔ)器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個(gè)讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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STM32的flash知識(shí)詳解

　　說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。　　FLASH分類　　根據(jù)用途，STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分：主存儲(chǔ)塊、信息塊。主存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)程序，我們寫的程序一般存儲(chǔ)在這里。信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲(chǔ)器、選項(xiàng)字節(jié)。系統(tǒng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)用于存放在系統(tǒng)存儲(chǔ)器自舉模式下的啟動(dòng)程序(BootLoader)，當(dāng)使用ISP方
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