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基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計(jì)

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)

  • 　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，它在掉電條件下仍然能夠長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

  • NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級(jí)和頁級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義，同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
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MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢(shì)

  • 　　因應(yīng)MCU成長(zhǎng)快速及程序數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計(jì)成為主流趨勢(shì)，MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。 　　
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基于FLASH的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 基于FLASH的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì),1 引言

    FLASH（閃速存儲(chǔ)器）作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
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分析稱臺(tái)系DRAM廠明年可望大幅增長(zhǎng)

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  Flash  

NAND Flash跌價(jià)深　上游大廠開始對(duì)模塊廠讓步

  • 　　NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對(duì)于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對(duì)庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動(dòng)，部分模塊廠開始回補(bǔ)一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因?yàn)橛刑O果(Apple)訂單的撐腰，對(duì)于價(jià)格仍是相當(dāng)強(qiáng)硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補(bǔ)丸。 　　近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
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分析稱臺(tái)系DRAM廠2011年可望大幅增長(zhǎng)

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM   Flash  

臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

  • 　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報(bào)告指出，臺(tái)系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRAM廠之冠。 　　
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  Flash  

NAND Flash市況兩極　靜待8月底補(bǔ)貨潮

  • 　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠陷入僵局。 　　近期大陸因?yàn)閬嗊\(yùn)因素，
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采用外接Flash存儲(chǔ)器件對(duì)SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實(shí)現(xiàn)

  • 采用外接Flash存儲(chǔ)器件對(duì)SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實(shí)現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對(duì)FPGA進(jìn)行配置。
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  開發(fā)  實(shí)現(xiàn)  SOPC  器件  Flash  存儲(chǔ)  采用  

DSP外部Flash存儲(chǔ)器在線編程的軟硬件設(shè)計(jì)

  • 摘要：詳細(xì)介紹DSP與Flash存儲(chǔ)器的兩種硬件接口方式及在線編程，分析了兩種硬件接口方式下在線編程的區(qū)別，給出了相應(yīng)的在線編程核心代碼并在實(shí)際電路上測(cè)試通過，可作為DSP嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的參考。
    關(guān)鍵詞：在線編程
  • 關(guān)鍵字： 編程  軟硬件  設(shè)計(jì)  在線  存儲(chǔ)器  外部  Flash  DSP  
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