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東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET
- 中國上海,2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數(shù)據(jù)中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調節(jié)器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。 通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降
- 關鍵字: 東芝推 超級結結構 N溝道 功率MOSFET
東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領先的低導通電阻和改進的反向恢復特性
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝,可用于工業(yè)設備開關電源,涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業(yè)領先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源導通電阻,與東芝現(xiàn)有產品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時,與東芝現(xiàn)有產品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢復電荷減少約74%,反向恢復[5]時間縮短約44
- 關鍵字: 東芝 N溝道 功率MOSFET
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