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技術(shù)探秘:英特爾45納米高k金屬柵極工藝

  •   英特爾出貨采用高k金屬柵極技術(shù)的首款45納米微處理器。不論是為了突出這件事的重要意義,還是為了強(qiáng)調(diào)其著名定律仍然有效,摩爾已成為英特爾45納米技術(shù)營(yíng)銷活動(dòng)的主角。摩爾稱這項(xiàng)創(chuàng)新是“20世紀(jì)60年代多晶硅柵極MOS晶體管出現(xiàn)以來(lái),晶體管技術(shù)的最大變化”。甚至《時(shí)代》雜志認(rèn)為,英特爾Penryn微處理器是2007年最佳發(fā)明之一。   但在這些高調(diào)宣傳背后還是有一些實(shí)質(zhì)內(nèi)容的。硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)多晶硅愛(ài)不釋手,難以割舍;實(shí)際上,許多制造商在到達(dá)32納米節(jié)點(diǎn)以前不會(huì)放棄多晶硅。英特爾向來(lái)比同業(yè)更快地推出新技術(shù),
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mos晶體管介紹

MOS晶體管-MOS晶體管 金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC mos晶體管的基本結(jié)構(gòu) MOS晶體管-MOSFET的結(jié)構(gòu) MOSFET是Metal- [ 查看詳細(xì) ]

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