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igbtmosfet器件隔離驅 文章 最新資訊

常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術匯總

  • MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關斷時...
  • 關鍵字： IGBTMOSFET器件隔離驅  
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igbtmosfet器件隔離驅介紹

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