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2023年中國IGBT芯片細分應(yīng)用領(lǐng)域分析 高壓IGBT打破國外技術(shù)壟斷
- 1、中國IGBT芯片應(yīng)用領(lǐng)域:三大類產(chǎn)品的應(yīng)用場景IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、高速開關(guān)特性和低導通狀態(tài)損耗等特點,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導地位。目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從600V-6500V的電壓范圍,按照使用電壓的情況,IGBT可以分為低壓、中壓和高壓三大類產(chǎn)品,不同的電壓范圍適用不同的應(yīng)用場景。2、中國不同電壓等級IGBT芯片應(yīng)用及
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一顆指甲蓋大小的IGBT芯片,就能流過約200A的電流—工作原理作用
- IGBT是一個超級電子開關(guān),它能耐受超高電壓。我們家中插座里的市電交流電電壓是220V,而薄如紙張的IGBT芯片能承受的電壓最高可達6500V。我們一般家庭里家用電器全部開啟最大電流也不會超過30A,而一顆指甲蓋大小的IGBT芯片就能流過約200A的電流!下圖是安裝在基板上的4個IGBT芯片和4個二極管芯片。4個IGBT芯片和4個二極管芯片但是,像這樣裸露的芯片是不能直接用的。我們需要把芯片再封裝到一個外殼里面,外殼中再填充絕緣的材料,把芯片的電極引到外端子上,就形成了能夠使用的IGBT產(chǎn)品。封裝好的IG
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科達半導體公司獲國家500萬資金扶持
- 近日,由科達半導體公司主導、聯(lián)合其他兩家單位共同實施的《汽車用IGBT芯片及模塊研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》項目,被財政部、工業(yè)和信息化部確定為2011年度電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金項目,并獲得500萬元資金扶持。 《汽車用IGBT芯片及模塊研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》項目總投資4000多萬元,項目完成時,將達到年產(chǎn)10萬個汽車點火器、8萬個IGBT芯片及1萬個IGBT模塊的生產(chǎn)能力,對滿足汽車點火器與新能源汽車快速充電系統(tǒng)、逆變驅(qū)動系統(tǒng)所需IGBT,促進我國新型電力電子器件技術(shù)進步及產(chǎn)業(yè)發(fā)展,具有積極的推動作用。 科達半
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