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我國(guó)下一代IC工藝技術(shù)需慎重布局
- 電子電路逐漸細(xì)微,芯片制造商在晶體管設(shè)計(jì)制造方面遇到的困難也越來(lái)越大。1965年“摩爾定律”與1975年“丹納德定律”所構(gòu)建的“幾何尺寸按比例縮小”的時(shí)代在進(jìn)入10納米后,多年來(lái)基于硅的平面器件所形成的技術(shù)路線、工藝裝備和生產(chǎn)條件,面臨重大調(diào)整。進(jìn)入2014年以來(lái),英特爾、臺(tái)積電在推進(jìn)基于14nm/16nmFinFET工藝時(shí)都遇到了比以往更大的挑戰(zhàn),而日前韓國(guó)三星公司宣布與意法半導(dǎo)體合作開展FDSOI生產(chǎn)工藝開發(fā),更使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的
- 關(guān)鍵字: IC工藝 半導(dǎo)體
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