gan開(kāi)關(guān) 文章 進(jìn)入gan開(kāi)關(guān)技術(shù)社區(qū)

硅基功率開(kāi)關(guān)已經(jīng)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？

• 在開(kāi)關(guān)模式電源中使用GaN開(kāi)關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開(kāi)關(guān)模式電源中的未來(lái)前景。如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問(wèn)道：現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基MOSFET有許多優(yōu)勢(shì)。GaN是寬帶隙半導(dǎo)體，可以讓功率開(kāi)關(guān)在高溫下工作并實(shí)現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高，可適用于100 V以上的應(yīng)用。而對(duì)于100 V以下的各種電源設(shè)計(jì)，GaN的高功率密
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