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利用無機(jī)空穴傳輸層提高Cu?SrSnS?太陽能電池的性能

  • CdTe 和 CIGSe 等薄膜太陽能電池因其低生產(chǎn)成本和出色的功率轉(zhuǎn)換效率 （PCE） 而受到廣泛關(guān)注。然而，組成元素的毒性和稀缺性限制了它們的廣泛使用。近日，Cu2SrSnS4半導(dǎo)體因其卓越的吸收特性（包括無毒、地球豐度、可調(diào)帶隙等）而成為一種潛在的替代品。但是，它仍處于新興階段，PCE 僅為 0.6%，這表明它需要顯著增強(qiáng)才能與傳統(tǒng)太陽能電池競爭。開路電壓大 （VOC （英超頻）） 損耗會(huì)限制其性能，這主要源于與傳輸層的頻帶對齊不當(dāng)。發(fā)現(xiàn)理想的設(shè)備配置是增強(qiáng)其 PCE 的最佳解決方案。最近，SCAP
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