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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 60納米

臺積電繞開英特爾工藝標(biāo)準(zhǔn)意在差異化競爭力

  • 　　在半導(dǎo)體晶圓制造工藝度過60納米平臺后，世界最大的晶圓代工廠臺積電就選擇不再跟隨英特爾的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。對此，臺積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、研發(fā)發(fā)展資深副經(jīng)歷蔣尚義認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)的每一個(gè)工藝制造都需要近十年的時(shí)間不斷優(yōu)化，而臺積電選擇比英特爾更快的研究更先進(jìn)的制造工藝，意在提高自己的長期競爭力。 　　“我們現(xiàn)在最成熟的工藝是0.13微米，這已經(jīng)是10年前的技術(shù)了，但依然有得改進(jìn)。同理，如果我們第一步領(lǐng)先，就會在接下去的十年都領(lǐng)先。”蔣尚義昨日在北京向媒體表示。他此行的目的是在27日召開的20
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全球半導(dǎo)體2009 Q4的產(chǎn)能同比減少10.7%

  • 　　按半導(dǎo)體國際產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)(SICAS)公布的2009 第四季有關(guān)產(chǎn)能及利用率的最新數(shù)據(jù),摘錄部分?jǐn)?shù)據(jù)并加以說明。 　　從SICAS摘下的2009 Q4最新數(shù)據(jù)與2008 Q4比較,有以下諸點(diǎn)加以說明; 　　1),總硅片產(chǎn)能09 Q4與08 Q4相比還是減少10,7% 　　2),全球代工產(chǎn)能09 Q4與08 Q4相比上升10,6% 　　3),2008 Q4時(shí)全球小于80納米的產(chǎn)能占總產(chǎn)能比為44%,而到2009 Q4時(shí)占54%,反映技術(shù)進(jìn)步加快。在2008 Q4時(shí)還沒有小於60納米的產(chǎn)能,而到 　
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旺宏計(jì)劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠

  • 　　據(jù)臺灣媒體報(bào)道，臺灣旺宏計(jì)劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器)廠雪上加霜。 　　旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴(kuò)廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 　　旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計(jì)劃，已向臺灣當(dāng)局遞交文件，申請進(jìn)駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計(jì)年底前動(dòng)工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 　　為配合旺宏建廠計(jì)
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DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

  • 　　臺系DRAM廠身陷財(cái)務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(dá)(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代，差點(diǎn)出現(xiàn)世代交替斷層危機(jī)，公司內(nèi)部已研擬2010年將略過50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來真正決戰(zhàn)點(diǎn)會是40納米制程技術(shù)。 　　三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程，且
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三星8GB60納米閃存 用于便攜式播放設(shè)備

  •    三星在一個(gè)月內(nèi)將NAND的容量提高了四倍。     三星宣布，公司開發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設(shè)備。這種新的高容量多級單元（MLC ）閃存是基于60納米的制造工藝，與70納米的產(chǎn)品相比，60納米工藝可以讓產(chǎn)量提高25%。     有了這種最新的技術(shù)，三星能夠向消費(fèi)者提供8GB 內(nèi)存的解決方案，它采用兩個(gè)4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。  
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60納米介紹

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