45納米文章進(jìn)入45納米技術(shù)社區(qū)

英特爾未來三個(gè)月發(fā)布Westmere服務(wù)器芯片

　　英特爾周四表示，公司計(jì)劃在未來三個(gè)月發(fā)布基于Westmere微架構(gòu)的新一代至強(qiáng)服務(wù)器芯片。　　英特爾首席執(zhí)行官保羅·歐德寧(Paul Otellini)在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上稱，為將芯片產(chǎn)品提升至32納米工藝，公司計(jì)劃對(duì)至強(qiáng)服務(wù)器芯片系列進(jìn)行更新。歐德寧指出，英特爾上周針對(duì)筆記本和臺(tái) 式機(jī)發(fā)布了基于Westmere架構(gòu)的芯片，而基于Westmere架構(gòu)的新一代至強(qiáng)服務(wù)器芯片也將推出。　　英特爾在去年三月推出了基于Nehalem架構(gòu)的至強(qiáng)5500系列芯片和至強(qiáng)3500系列芯片，是其對(duì)服務(wù)
關(guān)鍵字：英特爾 45納米服務(wù)器芯片

SEMI：中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)出在未來十年內(nèi)將翻倍

　　按SEMI近期的研究報(bào)告指出，中國(guó)力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預(yù)計(jì)在未來的十年內(nèi)中國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場(chǎng)將增加一倍。　　由假設(shè)的鴻溝數(shù)字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應(yīng)出臺(tái)了鼓勵(lì)政策，促進(jìn)在未來十年中設(shè)備及材料的采購會(huì)大幅增加。　　除此之外，隨著中國(guó)的芯片制造與封裝測(cè)試設(shè)備的大量進(jìn)口也大大促進(jìn)了中國(guó)研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。　　自1997年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)超過美國(guó)與日本之后，中國(guó)的政策制訂者開始極力強(qiáng)調(diào)要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國(guó)消費(fèi)了全球芯片的1/4，但是國(guó)內(nèi)產(chǎn)出
關(guān)鍵字：芯片制造封裝測(cè)試 90納米 65納米 45納米

新多核技術(shù)實(shí)現(xiàn)3G到4G平滑過渡

　　當(dāng)DSP從過去的單核過渡到4核再到6核時(shí)，不只提供了更強(qiáng)的處理能力，同時(shí)也對(duì)人們?cè)贒SP上開展的研發(fā)工作提出了新的挑戰(zhàn)：第一是必須對(duì)以往的應(yīng)用程序做更多的優(yōu)化工作;第二是開發(fā)工具要能深入到程序運(yùn)行的各個(gè)細(xì)節(jié)，并對(duì)程序的運(yùn)行情況進(jìn)行監(jiān)控;第三是解決耗電和散熱等問題，核心的增多必然會(huì)造成耗電的上升。　　飛思卡爾在最新一代的多核DSP上率先采用了45納米工藝，這使得飛思卡爾最近推出的6核DSP產(chǎn)品在功耗和性能上都達(dá)到了業(yè)界的最高水平，完全可以滿足4G應(yīng)用的需求。作為業(yè)界第一個(gè)向市場(chǎng)推出商用6核DSP的廠
關(guān)鍵字：飛思卡爾 45納米 DSP

臺(tái)灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄

　　臺(tái)灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布,開發(fā)出全球第一個(gè)16納米的SRAM新組件,由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍,這可使未來電子設(shè)備更輕薄. 　　臺(tái)“國(guó)研院”成功開發(fā)出16納米SRAM新組件,主要是創(chuàng)新3項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),包括“納米噴印成像技術(shù)”、“320度低溫微波活化”及“N型鍺組件研究”;由于相較傳統(tǒng)微影光學(xué)成像技術(shù),不需使用到光阻及光罩,預(yù)估也可省下每套新臺(tái)幣2億元的光罩費(fèi)用. 　　該研究機(jī)構(gòu)上午舉行&ldquo
關(guān)鍵字： 16納米 SRAM 45納米

張汝京在紅藍(lán)兩色中搖晃：是非功過向上帝交賬

　　張汝京微佝僂著背走進(jìn)中芯花園的服務(wù)中心，大大的腦袋扛在肩膀上，和5年前我們第一次采訪他時(shí)相比，歲月的痕跡毫不留情地出現(xiàn)在他身上，按照他自己的話來說，“這幾年折舊很快”——這當(dāng)然不止是指中芯國(guó)際晶圓廠的設(shè)備折舊。　　過去17個(gè)季度中，中芯國(guó)際就有16個(gè)季度出現(xiàn)虧損，這很大程度上是因?yàn)槊磕旮哌_(dá)8億美元的折舊，折舊占到他們銷售額的50%左右，早年一度還超過60%。　　也正是因?yàn)檫@樣長(zhǎng)達(dá)4年的虧損，張汝京常常被股東質(zhì)疑。11月4日中芯國(guó)際敗訴停盤，11月
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 65納米 45納米

英特爾宣布32納米芯片本周開始大批量生產(chǎn)

　　英特爾公司今天宣布32納米芯片本周開始大批量生產(chǎn)，這一聲明標(biāo)志著32納米技術(shù)芯片進(jìn)入成熟實(shí)用階段，英特爾也借此穩(wěn)固其在半導(dǎo)體行業(yè)中的地位。　　3年前，在其他公司研制65納米芯片的時(shí)候，英特爾就推出了45納米。今天，與仍然領(lǐng)先的45納米技術(shù)相比較，32納米的芯片不僅讓同樣面積的硅晶片上容下近2倍的晶體管，還大幅度提高了CPU的速度和減低功耗。用Adobe公司的Photoshop圖像處理軟件來進(jìn)行性能測(cè)試，32納米比45納米速度快了28%。　　從1071年英特爾推出第一個(gè)微處理器至今，這批32納米
關(guān)鍵字：英特爾 32納米 45納米

英特爾第三季CPU市場(chǎng)份額增至81.5%

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)市場(chǎng)研究公司Mercury Research周二發(fā)布的報(bào)告顯示，英特爾第三季度的全球CPU市場(chǎng)份額達(dá)到81.5%，進(jìn)一步拉大了對(duì)AMD的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。　　Mercury Research的報(bào)告顯示，在第三季度全球CPU市場(chǎng)的出貨量中，英特爾占據(jù)81.5%的份額，高于去年同期的81.2%，也高于第二季度的80.5%;AMD第三季度的份額約為17.8%，略高于去年的17.7%，但低于第二季度的18.5%;另外一家芯片廠商威盛的份額則由去年同期的1.1%下滑至0.7%。　　Mercu
關(guān)鍵字：英特爾 CPU 45納米 32納米

臺(tái)積電12寸新廠南北齊攻　總投資額上看60億美元

　　隨著聯(lián)電、中芯等競(jìng)爭(zhēng)者45納米制程推展進(jìn)程加快，晶圓代工龍頭臺(tái)積電決定擴(kuò)大投資力道，全面拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手差距，臺(tái)積電計(jì)劃南、北開攻，啟動(dòng)新竹、南科12寸晶圓廠全新擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，總投資額將上看60億美元，預(yù)計(jì)2010年下半起展開裝機(jī)。由于臺(tái)積電先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)及良率將成為2010年重點(diǎn)營(yíng)運(yùn)主軸，亦將牽動(dòng)內(nèi)部人事異動(dòng)，業(yè)界傳出負(fù)責(zé)先進(jìn)制程營(yíng)運(yùn)的副總劉德音，極可能擢升為空缺許久的營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)(COO)。不過，臺(tái)積電26日并未證實(shí)上述說法。　　半導(dǎo)體業(yè)者表示，中芯在上海技術(shù)論壇宣布45納米制程近日即將投產(chǎn)，加上聯(lián)電擴(kuò)大布
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 45納米晶圓代工

IBM攜手大陸晶圓廠抗衡臺(tái)積電

　　近期IBM大動(dòng)作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺(tái)合作，不僅與中芯國(guó)際攜手45納米先進(jìn)制程，亦與無錫華潤(rùn)上華結(jié)盟，針對(duì)主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出，IBM積極運(yùn)用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)力，全力擴(kuò)展大陸市場(chǎng)，未來IBM技術(shù)勢(shì)力可望在大陸深耕，并與臺(tái)積電勢(shì)力相抗衡。　　大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示，目前IBM對(duì)于向外技術(shù)授權(quán)采取更積極做法，尤其針對(duì)亟需要技術(shù)平臺(tái)奧援的大陸晶圓廠，IBM積極尋求合作機(jī)會(huì)，不僅對(duì)于技術(shù)授權(quán)相當(dāng)開放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶，透過IBM轉(zhuǎn)至
關(guān)鍵字： IBM 45納米晶圓代工 CMOS

Semico研究認(rèn)為2010年全球IC業(yè)將強(qiáng)勁增長(zhǎng)

　　Semico總裁Jim Feldhan在奧斯汀舉行的ISMI討論會(huì)上表示，明年半導(dǎo)體工業(yè)將有20%的高增長(zhǎng)，因而設(shè)備制造商有望得到未來數(shù)年的好年景。　　與在兩天會(huì)議中部分經(jīng)濟(jì)學(xué)家認(rèn)為未來5年全球經(jīng)濟(jì)將是暗淡的看法大相徑庭，Jim Feldhan認(rèn)為今年第四季度前景尚好，即使明年第一季是傳統(tǒng)的淡季，也能有驚奇的增長(zhǎng)。所以工業(yè)將呈現(xiàn)V型復(fù)蘇，其中部分產(chǎn)品的市場(chǎng)相當(dāng)搶眼。下圖為部分終端電子產(chǎn)品的增長(zhǎng)趨勢(shì); 　　Semico看到寬帶、無線及社會(huì)網(wǎng)絡(luò)將是未來IC消費(fèi)的推動(dòng)者。　　如
關(guān)鍵字： GlobalFoundries 15納米 32 45納米

中芯國(guó)際采用 Cadence DFM解決方案

　　今天宣布，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司采用了 Cadence(R) Litho Physical Analyzer 與 Cadence Litho Electrical Analyzer，從而能夠更準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)壓力和光刻差異對(duì)65和45納米半導(dǎo)體設(shè)計(jì)性能的影響。Cadence Litho Electrical Analyzer -- 半導(dǎo)體行業(yè)第一個(gè)用于各大領(lǐng)先半導(dǎo)體公司從90到40納米生產(chǎn)中的DFM電氣解決方案 -- 與 Cadence Litho Physical Analyzer 結(jié)合，形成了一個(gè)
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 65納米 45納米 Cadence

ARM發(fā)布45納米SOI測(cè)試結(jié)果，最高節(jié)能40%

　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì)上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測(cè)試芯片的測(cè)試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應(yīng)工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造，該測(cè)試芯片顯示出最高可達(dá)40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測(cè)試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應(yīng)微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實(shí)了在為高性能消費(fèi)設(shè)備和移動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)低功耗處理器時(shí)，SOI是一項(xiàng)取代傳統(tǒng)體效應(yīng)工藝的可行技術(shù)。　
關(guān)鍵字： ARM 45納米 SOI

中芯國(guó)際2009年技術(shù)研討會(huì)在京舉行

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司于10月15日在北京舉行中芯國(guó)際2009年技術(shù)研討會(huì)，也是中芯國(guó)際舉辦的第九屆技術(shù)研討會(huì)。本次研討會(huì)吸引了三百多位來自全球各地的客戶、芯片設(shè)計(jì)工程師、技術(shù)合作伙伴與供應(yīng)商等的參與。　　“機(jī)遇挑戰(zhàn) 創(chuàng)新”為本次研討會(huì)的主題。中芯國(guó)際副總裁陳秋峰博士在開幕致詞時(shí)，回顧了中芯國(guó)際在過去幾年中的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新，重點(diǎn)介紹了中國(guó)市場(chǎng)的機(jī)遇，指出了中芯國(guó)際未來順應(yīng)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)的發(fā)展方向。中芯國(guó)際感謝所有客戶、合作伙伴和供應(yīng)商一直以來的大力支持，并期待未來以更緊密
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 45納米 65納米存儲(chǔ)器

中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

　　中芯國(guó)際今天宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。　　這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國(guó)際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機(jī)設(shè)備(如3G/4G 手機(jī))。　　“中芯國(guó)際上海的12英寸廠已提前達(dá)標(biāo)完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績(jī)。”張汝京博士 -- 中芯國(guó)際總裁兼首席執(zhí)行長(zhǎng)表示，“這些新技術(shù)為
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 CMOS 45納米 40納米 55納米

ARM最新45nm 測(cè)試芯片實(shí)現(xiàn)40%的功耗降低

　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì)上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測(cè)試芯片的測(cè)試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體硅工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造，該測(cè)試芯片顯示出最高可達(dá)40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測(cè)試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應(yīng)微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實(shí)了在為高性能消費(fèi)設(shè)備和移動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)低功耗處理器時(shí)，SOI是一項(xiàng)取代傳統(tǒng)體效應(yīng)工藝的可行技術(shù)。　　
關(guān)鍵字： ARM 45納米測(cè)試芯片

共86條 2/6 « 1 2 3 4 5 6 »

45納米介紹

1906年，世界第一枚電子器件劃時(shí)代而生。此后百年間，隨著晶體管與集成電路的成功開發(fā)，人類開始步入速度驚人的芯片時(shí)代。　　我們知道，能夠帶來突破性性能與尺寸的新體系結(jié)構(gòu)，需要在更小的體積內(nèi)放入更多的晶體管數(shù)目，需要更高級(jí)的芯片制程工藝。　　從第一顆處理器到90納米處理器，乃至65納米處理器都是如此。英特爾把這種以兩年為周期的芯片與微體系結(jié)構(gòu)快速發(fā)展步調(diào)稱為“Tick-tock”戰(zhàn)略。當(dāng)硅 [ 查看詳細(xì) ]

45納米 文章 進(jìn)入45納米技術(shù)社區(qū)

45納米介紹

熱門主題

45納米文章進(jìn)入45納米技術(shù)社區(qū)