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爾必達成功試產(chǎn)25納米DRAM

  •   日本存儲器大廠爾必達(Elpida)公布,已于2011年7月試產(chǎn)25納米(nm)的2GB DDR3 SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE」樣品。該公司為全球首家推出25納米DRAM的企業(yè),芯片面積也是世界最小。   爾必達表示,25納米制程技術(shù)早于5月研發(fā)完成,本次是公布產(chǎn)品順利生產(chǎn)。25納米DRAM傳送資料的速率將比30納米更快,1針腳即有1,866Mb/秒以上,且待機耗電量減少20%。
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Intel 開始出貨25nm 8GB 閃存芯片

  •   英特爾今天開始出貨25納米NAND閃存,容量為8GB,新款芯片外型上比原有的34nm版本更小,但存儲能力卻增加了一倍,這種芯片主要面向智能手機和多媒體播放器。   同時英特爾還暗示600GB的固態(tài)硬盤產(chǎn)品將在今年年末出現(xiàn),使用的應該也就是這款閃存芯片。
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英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

  •   英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產(chǎn)品,以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量,提供更高的成本效益。   NAND閃存可用于存儲消費電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容,即使在電源關(guān)閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小,推動了該技術(shù)持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術(shù),也是全球最精密的半導體技術(shù)——這項技術(shù)成就將
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25納米介紹

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