110納米文章進(jìn)入110納米技術(shù)社區(qū)

釋放前所未有的能效：瑞薩先進(jìn)的110納米制程技術(shù)

在當(dāng)今不斷發(fā)展的技術(shù)環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)最佳功效是半導(dǎo)體制造商的重要目標(biāo)。認(rèn)識(shí)到這一需求，瑞薩開發(fā)了其先進(jìn)的110納米制程技術(shù)，徹底改變了低功耗設(shè)計(jì)的世界。瑞薩的110納米工藝技術(shù)的核心是能效、性能和成本效益之間的完美平衡。利用這種最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，瑞薩創(chuàng)造了一系列市場(chǎng)領(lǐng)先的微控制器（MCU），體現(xiàn)了電源管理、集成和性能方面的最新進(jìn)展。將瑞薩的MCU從130納米（MF3）技術(shù)遷移到110納米（MF4）技術(shù)作為微控制器技術(shù)的先驅(qū)，瑞薩憑借其先進(jìn)工藝技術(shù)不斷突破創(chuàng)新的界限。一個(gè)顯著的進(jìn)步是從利用130納米工藝技術(shù)的M
關(guān)鍵字： 110納米瑞薩微控制器

中國(guó)北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
關(guān)鍵字： X-FAB 110納米 BCD-on-SOI

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