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第三季移動存儲器體價格持平 廠商獲利穩(wěn)定

- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,2014年第三季行動式記憶體價格與前季相較相對持穩(wěn),所有產(chǎn)品線的跌幅皆落在5%以內(nèi),其中大部分的智慧型手機廠甚至在第三季的采購價格與前季完全相同,在行動式記憶體連續(xù)跌價超過兩年的前例看來,今年受旺季需求支撐所呈現(xiàn)的價格持平走勢相當難得,DRAM廠在該領域的獲利持續(xù)向上攀升。 DRAMeXChange研究協(xié)理吳雅婷表示,智慧型手機仍是第二季最大的需求來源,其中由于正值中國地區(qū)電信系統(tǒng)由3G轉(zhuǎn)4GTD-LTE,
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2013年全球內(nèi)存模塊廠營收排名

- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存研究部門DRAMeXchange最新發(fā)表的模塊營收調(diào)查顯示,2013年全球模塊市場總銷售金額約為73億美元,相較于2012年55億美元,大幅提升32%,主要受益于標準型內(nèi)存價格的上漲、現(xiàn)貨市場轉(zhuǎn)趨熱絡及合約市場的比重提升。2013年模塊廠前十名幾乎囊括全球模塊市場中88%的營業(yè)額,其中金士頓穩(wěn)坐模塊廠龍頭,年營收增長約32%;威剛與記憶科技則分居二、三名,營收也大幅增長116%及37%。由于模塊廠營業(yè)項目轉(zhuǎn)趨多元,本次排名僅針對各家模塊廠的DRAM營收做統(tǒng)計
- 關(guān)鍵字: DRAM 內(nèi)存模塊
DRAM下季合約價喊漲
- DRAM拉貨潮啟動,加上芯片廠制程推進受阻,主流DDR3 4Gb顆?,F(xiàn)貨報價攀上4.35美元,創(chuàng)近一年半新高價,本季漲幅近二成,有機會向歷史新高4.6美元邁進,華亞科、南科將成為大贏家。 DRAM市調(diào)機構(gòu)集邦科技表示,本季DRAM現(xiàn)貨價與合約價價差已達20%,預估第3季合約價看漲5%至10%。IC通路商透露,三星已率先鳴槍,通知旗下通路商及委托制造廠(OEM)廠,7月起漲幅10%,揭開DRAM另一波漲勢。 集邦預期,下半年DRAM因各大芯片廠并無考慮增產(chǎn),加上制程推進和良率提升進度緩慢,將
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基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設計與實現(xiàn)

- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數(shù)據(jù)進行快速存儲和讀取,而這種先進先出的結(jié)構(gòu)特點很好地適應了這些要求,是傳統(tǒng)RAM無法達到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存,但是由于成本和容量限制,常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴展,這往往導致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復雜,成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件,介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制,來
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受惠三大因素上半年半導體業(yè)淡季不淡

- 根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)觀察,2014上半年臺灣IC設計產(chǎn)業(yè)受惠于中國大陸與新興市場智慧手機需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素,拉動了智慧手機晶片、驅(qū)動IC及電視SoC晶片之營收持續(xù)高漲,形成半導體產(chǎn)業(yè)少見的淡季不淡現(xiàn)象。 展望2014下半年,雖為傳統(tǒng)旺季,但中國大陸6月份縮減了3G智慧型手機補助,為市場投下變數(shù),中國4G/LTE手機的銷售情形,將成為左右臺廠營收的重要關(guān)鍵。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預估,2014下半年臺灣IC設計營收預估達80.7億美元,較去年同
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基于CPLD的DRAM控制器設計方法

- 80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產(chǎn)品之一,已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領域。在該嵌入式微處理器片內(nèi),集成有DRAM RCU單元,即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動產(chǎn)生DRAM刷新總線周期,它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當編程后,RCU將向?qū)⑻幚砥鞯?BIU(總線接口)單元產(chǎn)生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后,BIU單元執(zhí)行刷新周期時,被編程的存儲器范圍片選有效。 存儲器是嵌入式計算機系統(tǒng)的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)
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大廠偏重生產(chǎn)移動存儲器 DRAM供貨吃緊
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標準型記憶體轉(zhuǎn)移至行動式記憶體,加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進有延宕的情形下,2014下半年已有供貨吃緊的跡象。 以需求端來觀察,由于PCOEM庫存水位普遍不高,采購策略上除了希望原廠提供的顆粒外,亦向記憶體模組廠尋求更多的支援,DRAM市場已經(jīng)醞釀第三季合約價格上漲的氛圍;從現(xiàn)貨價格來觀察,目前4GB報價約在36美元間,5月合約均價在30.5美元,
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Ziptronix和EVG集團展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度
- Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?! iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
- 關(guān)鍵字: EVG DRAM 3D
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