受來自PC部門需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會計年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會計年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會計年度第1季營收45.7億美元相對高點以來，單季營收連續(xù)5季衰退。
在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價季衰退幅度超過2位數百分點幅度，加上營業(yè)費用控制成效不佳，營業(yè)
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美光 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)開始量產18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來在DRAM市場上，勢必將更具價格競爭力。
根據韓媒ETnews報導，存儲器半導體的價格越來越低，越快將成本壓到比下滑的市場價格更低的話，才有利潤能剩下，若降低成本的速度太慢，就會產生赤字。以目前看來，2016年美光最需擔憂的就是赤字問題，因為美光沒能成功地轉換微
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三星 DRAM
不論是NAND閃存還是DRAM內存領域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術、產能都落后友商，偏偏現在又遇到了內存、閃存降價，跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%，當季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預測同樣悲觀。
美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。
美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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DRAM NAND
美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財報，每股凈損0.09美元，單季由盈轉虧，并預估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認為，美光連二季虧損，與該公司關系密切的華亞科(3474)短期營運將有壓力。
受到DRAM價格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現，僅19.7%，遠不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬美元，每股凈損0.09美元。
美光預期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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美光 DRAM
全球DRAM內存市場壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊的，不論工藝還是產能、占有率都遙遙領先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產能最次。2014年率先量產20nm工藝的DRAM內存之后，三星如今再一次領跑，現在正式量產了18nm工藝內存芯片。只不過內存市場今年普遍看淡，隨著廠商產能的提高，內存價格降幅甚至高達40%。
跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進，每一代工藝的進步在外人看來感覺是越來越小了，CPU工藝好歹是從22nm進步到14/16nm、NAND也是
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三星 DRAM
28日武漢新芯科技主導的12英寸晶圓廠正式動工，建成后將成為中國最大、最先進的存儲芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領域，起點不低。再之前中國紫光集團宣布斥資300億美元打造全球前三的半導體公司，一時間中國半導體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內不會在大陸建立晶圓廠。
中國在半導體領域的大手筆投資或者收購已經引起了業(yè)界震動，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標轉向
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三星 美光 DRAM
前日本爾必達(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設IC設計公司Sino King Technology，指出目前半導體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強調研發(fā)生產周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進生產技術的如臺積電。
而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司，以研發(fā)高度客制化存儲器為重，不
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爾必達 DRAM
針對中國將進軍DRAM產業(yè)，華亞科(3474)董事長李培瑛表示， 由于中國未能取得技術來源，如要自主發(fā)展DRAM產業(yè)，勢必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專利及高度專業(yè)之技術進入障礙門檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達成，預期5年內將不會造成DRAM市場的影響，短期內難有進展。
李培瑛指出，目前全球DRAM技術掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠手中，為維持自身利益及寡占市場結構，避免中國廠商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國技術授權合作或合資建廠計劃。中國若未能取得技術來源，短 期
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華亞科 DRAM
自2015年第四季以來，全球終端需求始終停滯，智慧型手機品牌商皆計畫調降今年首季的出貨計畫，整體市場開始進行約一個季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場研究機構TrendForce智慧型手機分析師吳雅婷表示，受益于庫存調節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機發(fā)表，2月中起中國手機品牌陸續(xù)出現庫存回補的需求。此外，中國智慧型手機營運商為拉抬4G機種的普及率，針對數款4G高階智慧型手機增加 補貼額度，也推升消費者的購買欲望。
TrendForce預估2016
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華為 DRAM
大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術與制造的決心。
這是繼紫光集團進軍記憶體領域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動全球記憶體板塊移動，業(yè)界高度關注 。
業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進軍LED、面板、觸控等產業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴產，使得這些產業(yè)都陷入殺價
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新芯 DRAM
SEMI(國際半導體產業(yè)協(xié)會)公布最新“SEMI全球晶圓廠預測”(SEMIWorldFabForecast)報告，2016年包括新設備、二手或專屬(in-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出預期將增加3.7%，達372億美元，而2017年則將再成長13%，達421億美元。另方面，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。
SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預測”報告，2016年包括新設備、二手或專屬(in-house)
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DRAM 晶圓
還記得「爾必達」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食，爾必達于2012年申請破產、之后被美國美光(Micron)收購，而坂本幸雄也成為爾必達的末代社長、在爾必達被美光收購后就辭去社長一職以示負責。不過坂本幸雄要開始踏上復仇之路了，此次將攜手臺灣、中國大陸之力，在安徽合肥打造大規(guī)模內存廠，力抗三星等廠商。
日經新聞11日報導，由坂本幸雄所設立的半導體設計公司「SinoKingTechnology(以下簡稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，Sino將主導合肥市政府總
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DRAM
大陸半導體產業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。
由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產業(yè)地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現變化。
大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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半導體 DRAM
中國紫光欲與美韓合作DRAM(動態(tài)隨機存取內存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達前社長坂本幸雄所主導成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國合肥市政府合作，將結合日本研發(fā)技術與中國的資金力量，兩年后在合肥量產DRAM。據了解，相關合作細節(jié)預計本周于日本舉行記者會說明。
臺灣DRAM業(yè)界指出，爾必達于2012年倒閉并由美光并購后，坂本幸雄與爾必達研發(fā)團隊一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國內存市場，加上中國企圖建立自主技術，地方政
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紫光 DRAM
大陸半導體產業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。
由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產業(yè)地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現變化。
大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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