- 繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產 8Gb DDR4 芯片。另據路透社報道，三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。
據悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時功耗又降低了 1
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三星 DRAM
- DRAM 內存市場近期嚴重供不應求，造成全球內存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調 3% 至 5%。 而另一家內存大廠 SK 海力士也將調漲約 5%。 除此之外，有部分供應鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價，報價已經連續(xù) 7 季走揚，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。
事實上，當前的第 4 季是傳統(tǒng)
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DRAM DDR4
- 今年內存供給吃緊，推升價格持續(xù)走揚，研調機構IC Insights預期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。
據IC Insights估計，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。
全年來看，DRAM市場預估成長74%，較1993-2017年平均水平高61個百分點，也是繼1994年成長78%以來最強成長動能。
許多因素造就今年內存走大多頭，當中包含近幾年主要內存廠刻意節(jié)制擴產動作，同期間剛好又遇上數據中心、行動與游戲設備對高效能內存的需求大
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DRAM
- 圍繞著此輪DRAM產業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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DRAM NAND
- 今年DRAM市場強勁成長，南亞科技(2408)預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018，預期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。
隨著人工智能、物聯網、智能汽車、高速運算等應用，促進半導體產業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產品的關鍵組件，帶動今年內存市場強勁成長逾50%。
展望2018年，南亞科預期DRAM資本支出主要用于先進制程轉換及維持原有月產能，DRAM位年成長率在20%~25%，預估2018年需求將較2017
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南亞科 DRAM
- 縱觀2017年，隨著數據中心、服務器、智能手機和其他移動產品對DRAM需求不斷提升，DRAM產能供不應求，平均售價也在持續(xù)上漲。如圖1所示，IC Insights預計2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績，與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。
圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收
IC Insights預計2017年全年DRAM的銷售額將達720億美元，年增長率達74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
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DRAM
- 調研機構IC Insights最新報告預估，全球整體IC市場規(guī)模將由2016年的2,977億美元，成長為2021年的4,345億美元。合計2016~2021年規(guī)模年復合成長率(CAGR)為7.9%。
在12類IC終端應用主要產品中，僅游戲機與平板電腦產品用IC市場規(guī)模會出現下滑，其余如汽車、物聯網(IoT)連結、手機等IC應用市場規(guī)模都會呈現成長。其中以車用與物聯網連結用IC市場規(guī)模成長最快，成長幅度較整體IC高出70%。
預估2017年全球車用IC市場規(guī)模，將繼2016年成長11%(達2
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物聯網 DRAM
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
手機中國聯盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業(yè)開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數據中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數據釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
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RRAM DRAM
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
手機中國聯盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業(yè)開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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DRAM NAND
- 三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計劃明年將其在生產方面的資本支出預算提到1.5倍，提高至260億美元。
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三星 DRAM
- 最近一個多月的時間內，尤其是雙11之后，內存價格開始普遍下滑，而且幅度相當夸張，最高甚至接近30%。
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內存 DRAM
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應將持續(xù)吃緊。
韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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三星 DRAM
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應將持續(xù)吃緊。
韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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三星 DRAM
- 存儲器行業(yè)正處于強勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術》報告中預計，2016~2022年整個存儲器市場的復合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導體芯片價格上漲，導致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀錄的利潤!
存儲器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動和計算(主要是服務器)市場。平均而言，每部智能手機的DRAM內存容量將增長三倍以上，預計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機的NAND存儲器容量將增加
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存儲器 DRAM
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