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第三代電力電子半導體SiC MOSFET:聚焦高效驅(qū)動方案
- 第三代電力電子半導體SiC MOSFET:聚焦高效驅(qū)動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET,SiC MOSFET可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領域,SiC MOSFET(碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管)憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能,SiC MOSFET驅(qū)動方案備受關注。然而,SiC MOSFET的獨特器件特性,也意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動方案展開了解,其中包括驅(qū)動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
- 關鍵字: 第三代半導體 SiC MOSFET 高效驅(qū)動 電力電子
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高效驅(qū)動介紹
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