飛兆半導體 文章 進入飛兆半導體技術(shù)社區(qū)
飛兆半導體公布2011年第二季業(yè)績
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)公布截至2011年6月26日為止的 2011 年第二季業(yè)績報告。飛兆半導體報告第二季的銷售額為 4.332億美元,比上季增長5%,較2010年同季則提高6%。
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飛兆半導體引入碳化硅技術(shù)擴展產(chǎn)品創(chuàng)新
- 為了滿足半導體應用提高效率和性能的需求,全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司,擴展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。
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飛兆半導體公布2011年第一季業(yè)績
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)公布截至2011年3月27日為止的 2011 年第一季業(yè)績報告。飛兆半導體第一季的銷售額為 4.13億美元,比上季增長4%,較2010年同季則提高9%。
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飛兆半導體推出高速MIPI開關(guān)產(chǎn)品
- 在眾多新型移動電話和移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)設(shè)計中,設(shè)計人員仍然繼續(xù)使用并行數(shù)據(jù)接口,僅僅因為它是應用處理器的唯一可用接口。然而,新設(shè)計面對降低功率、提高數(shù)據(jù)傳輸率以及減少電路板占用面積的強大的終端市場壓力,因而具有高成本效益的替代解決方案正在成為可行的選擇。
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UniFET?II MOSFET功率轉(zhuǎn)換器[飛兆半導體]
- 開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件,飛兆半導體公司(FairchildS...
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飛兆半導體mWSaver技術(shù)提供同級最佳電源節(jié)能特性
- 隨著電子設(shè)備日益流行,對于AC-DC外部電源的需求也隨之而來。從2009年到2013年,外部電源的數(shù)量預計增長11%以上?,F(xiàn)今,全世界所使用的電源數(shù)量在60億至100億只之間,而這些電源通常整天插在插座上,其中20個小時都在不使用中,卻一直消耗電能。這些數(shù)據(jù)說明了能源浪費的問題不斷升溫,也顯示了降低待機功耗可能帶來的深遠影響。 雖然最佳電源的效率超過90%,但有些電源的效率卻僅有20%至40%,流經(jīng)電源的大部分電能都被浪費了。電源可能占據(jù)每年總體住宅電能使用量的10%左右。盡管一些法規(guī)和技術(shù)有助
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飛兆半導體開發(fā)出高性能柵極驅(qū)動光耦合器產(chǎn)品
- 為了滿足全球各地的能效標準要求,太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅(qū)動等工業(yè)應用的設(shè)計人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅(qū)動,相比常用的FOD3120柵極驅(qū)動器,新器件的傳輸遲延時間縮短了50%,功耗降低了13%。
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